T12烙铁是一种性能不错的烙铁。优点：由于采用一体化设计，加热体与检测体，距焊头距离近，热容小，连接部分导热小，所以具有：加热快，回温快，热损失小，可适应10-30V直流电，温度控制较精确，可热态换烙铁头。缺点：必须加适配器，由于采用PWM控制，烙铁头电感有反峰感应高压，采用开关电源，由于Y电容存在，烙铁头有110V感应电压，若电源不接地，烙铁头不接地，两者叠加，有烧毁MOS器件的可能。电路工作原理（以示图为例）：采用位式调节，开关控制。运放LM358A，组成比较器，正端输入基准值，负端输入测量值（热电势），热电势低于基准，输出正电压；LM324B，组成带施密特特性的比较器，当负端输入正，输出为负，Q1失去基极电流截止，Q2导通，为烙铁提供电源。反之停止。B10K电位器提供0-5V电压，由R1，R2分压，得到可热电偶热电势对应的毫伏值，但由于和热电偶热电势不线性，故加R0，让其起始值，在200度左右，但这样和电压表不对应，故电压表只在250度以后，基本可实际温度对应，电压表调成0-5V，显示0-830度，对应200-830度左右。由于热电偶和加热丝共用，只能间断测量，D1，R3起到限压作用，限制烙铁加热时24V电压，不超过0.7V，保护LM358A，C5，起到滤波作用，抑制烙铁头的反压，同时，和烙铁头电阻的放电时间，决定了检测时间，该时间越短，电源利用率越高。D7，R4，C3，决定了加热时间，该时间越长，电源利用率越高，但烙铁头温度波动越大，C3在没有接后面电感，L1，电容C4时，选值203。R6,R5分压得到LM358B的偏压，R7组成正反馈。形成施密特电路，让电路更稳定可靠。R8，R9组成Q1的基极供电电路，Q1导通，Q2失去栅压关断。Q2采用NMOS管，这里接成源极跟随器，故必须提供比G,S导通值高的电压（要比电源24伏高），所以采用自举电路。D，D7，C，R10，R12，组成自举电路，电路第一次工作，没有自举（倍压）作用，Ｑ１导通，Ｃ通过Ｄ２，Ｄ，充到电源电压，但由于Ｄ２为稳压管，只能充到１２Ｖ。（在Ｑ１截止时被限制）。Ｑ１第一次导通，电流由Ｒ１１限制，以后由Ｒ１０限制，Ｕ１，７８Ｌ０５组成５Ｖ稳压电路，保证电源在８Ｖ以上工作稳定。Ｃ１，Ｃ２为去耦电容，Ｄ１为防止Ｃ１电压反送电源。采用ＮＭＯＳ管，导通时间由Ｒ１０，和栅极电容决定，关断由管子关断时间决定（ＰＭＯＳ管相反）实际时间很短微秒－几十纳秒。由于有烙铁头有关断反峰，故加Ｃ４，以延长烙铁头关断时间，Ｌ１为限制Ｑ２冲击电流，Ｄ２，为续流二极管，为Ｌ1的能量提供放电通道。增加该电路，使烙铁头感应电明显降低，经过反复实验，在不接电源地的情况下，不会再烧ＭＯＳ（管）电路。改后缺憾：检测时间加长，故加大Ｃ３（１０倍），实际升温时间变长，波动加大。（不影响使用）建议：使用ＰＭＯＳ管，好处，省掉自举电路，可以增加电源电压加大功率，因有些场管栅压，规定正负２０Ｖ，若用自举电路，２４Ｖ电源，倍压就超了过多，所以用１２Ｖ稳压管，但那也达到３２Ｖ（当然可以考虑稳压位置），还有就是用ＰＭＯＳ管，后沿好控，但控制多长合适，管子温升多少？所以最好加地线，就不用考虑反压问题了。一点设想：用低失调电压，低温飘的运算放大器，代替ＬＭ３５８，可获得更准确的温度控制，加上负电源，可准确显示温度（需看看热电偶曲线）用单片机ＡＤ转换，控制，显示，可以做到记忆常用温度，显示更准确，温度矫正更省事。加上简易ＰＩＤ调节（有实际意义），则升温更快，波动更小，还可做到休眠等多种功能，8位AD，只能做到5度一档，10位AD，可能勉强做到1V一档（800度）供大家讨论，批判！ [ 此帖被bjxsgzs在2017-02-24 02:23重新编辑 ]
