nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等） 今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：
1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
4 : SLC 4 Chip XD Card
A : SLC + Muxed I/ F Chip
B : Muxed I/ F Chip
D : SLC Dual SM
E : SLC DUAL (S/ B)
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
J : Non-Muxed OneNand
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
Q : 4CHIP SM
R : SLC 4DIE STACK (S/ B)
S : SLC Single SM
T : SLC SINGLE (S/ B)
U : 2 STACK MSP
V : 4 STACK MSP
W : SLC 4 Die Stack
4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）
12 : 512M
16 : 16M
28 : 128M
32 : 32M
40 : 4M
56 : 256M
64 : 64M
80 : 8M
1G : 1G
2G : 2G
4G : 4G
8G : 8G
AG : 16G
BG : 32G
CG : 64G
DG : 128G
00 : NONE
6~7. organization
00 : NONE
08 : x8
16 : x16
8. Vcc
A : 1.65V~3.6V
B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V)
D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V
R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)
T : 2.4V~3.0V
U : 2.7V~3.6V
V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V
0 : NONE
9. Mode
0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/ nB
4 : Quad nCE & Single R/ nB
5 : Quad nCE & Quad R/ nB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade
10. Generation
M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
11. "─"
12. Package
A : COB
B : TBGA
C : CHIP BIZ
D : 63-TBGA
E : TSOP1 (Lead-Free, 1217)
F : WSOP (Lead-Free)
G : FBGA
H : TBGA (Lead-Free)
I : ULGA (Lead-Free)
J : FBGA (Lead-Free)
K : TSOP1 (1217)
L : LGA
M : TLGA
N : TLGA2
P : TSOP1 (Lead-Free)
Q : TSOP2 (Lead-Free)
R : TSOP2-R
S : SMART MEDIA
T : TSOP2
U : COB (MMC)
V : WSOP
W : WAFER
Y : TSOP1
13. Temp
C : Commercial
I : Industrial
S : SmartMedia
B : SmartMedia BLUE
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
3 : Wafer Level 3
14. Bad Block
A : Apple Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
K : Sandisk Bin
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
15. NAND-Reserved
0 : Reserved
16. Packing Type
- Common to all products, except of Mask ROM
- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)
【举例说明】
K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
K9GAG08U0M 详细信息如下:
1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
G : MLC Normal
4~5. Density
AG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)
6. Technology
0 : Normal (x8)
7. Organization
0 : NONE 8 : x8
8. Vcc
U : 2.7V~3.6V
9. Mode
0 : Normal
10. Generation
M : 1st Generation
11. "─"
12. Package
P : TSOP1 (Lead-Free)
13. Temp
C : Commercial
14. Customer Bad Block
B : Include Bad Block
15. Pre-Program Version
0 : None
整体描述就是：
K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
Hynix 海力士
H 2 7 X X X X X X X X X - X X
(1) HYNIX
(2) PRODUCT FAMILY
(4) POWER SUPPLY(VCC)
(8) NAND CLASSIFICATION
(7) ORGANIZATION
(14) BAD BLOCK
(11) PACKAGE TYPE
2 : Flash
S: SLC + Single Die + Small Block
A: SLC + Double Die + Small Block
B: SLC + Quadruple Die + Small Block
F: SLC + Single Die + Large Block
G: SLC + Double Die + Large Block
H: SLC + Quadruple Die + Large Block
J: SLC + ODP + Large Block
K: SLC + DSP + Large Block
T: MLC + Single Die + Large Block
U: MLC + Double Die + Large Block
V: MLC + Quadruple Die + Large Block
W: MLC + DSP + Large Block
Y: MLC + ODP + Large Block
C: Included Bad Block
E: 1~5 Bad Block Included
M: All Good Block
I: TSOP1
B: WSOP
S: USOP
P: LSOP1
T: FBGA
V: LGA
S: WLGA
N: VLGA
F: ULGA
X: Wafer
M: PGD1 (chip)
Y: KGD
U: PGD2
W: 1st
C: 2nd
K: 3rd
D: 4th
M
A
B
C
(5), (6) DENSITY
1: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Enable
2: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Disable
4: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Enable
5: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Disable
D: Dual Interface; Sequential Row Read Disable
F: 4 nCE & 4 R/nB ; Sequential Row Read Disable
micron镁光nand命名规则
www.micron.com/support/designsupport/documents/pngStandard NAND Flash Part Numbering System
Micron's part numbering system is available at
Standard NAND Flash*
MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : A
Micron Technology Design Revision (shrink)
A = 1st design revision
1. Single-Supply Flash
29F = Single-Supply NAND Flash Production Status
29H = High Speed NAND Blank = Production
ES = Engineering samples
2. Density QS = Qualification samples
1G = 1Gb MS = Mechanical samples
2G = 2Gb
4G = 4Gb Operating Temperature Range
8G = 8Gb Blank = Commercial (0°C to +70°C)
16G = 16Gb ET = Extended (–40°C to +85°C)
32G = 32Gb WT = Wireless (–25°C to +85°C)
64G = 64Gb
128G = 128Gb Block Option (Reserved for use)
256G = 256Gb Blank = Standard device
3. Device Width Flash Performance
08 = 8 bits Blank = Full specification
16 = 16 bits
4. Speed Grade (MT29H Only)
Classification 15 = 133 MT/s
12 = 166 MT/s
5. Mark Bit/cell Die RnB
A SLC 1 1 Package Code
B SLC 2 1 WP = 48-pin TSOP I (CPL version) (Pb-free)
C SLC 2 1 WC = 48-pin TSOP I (OCPL version) (Pb-free)
D SLC 2 2 H1 = 100-ball VFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.0
E SLC 2 2 H2 = 100-ball TFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.2
F SLC 4 2 HC = 63-ball VFBGA, 10.5 x 13 x 1.0
G SLC 4 2 C2 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.4 (use TBD)
J SLC 4 + 4 2 + 2 C3 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.65
K SLC 8 4 C4 = 52-pad VLGA, 12 x 17 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)
Z SLC 1 NA C5 = 52-pad VLGA, 14 x 18 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)
C6 = 52-pad LLGA, 14 x 18 x 1.47 (8DP, QDP, DDP)
M MLC 1 1 C7 = 48-pad LLGA, 12 x 20 x 1.47 (8DP)
N MLC 2 1 SWC = 48-pin Stacked TSOP (OCPL version) (Pb-free)
P MLC 2 1 SWP = 48-pin Stacked TSOP (CPL version) (Pb-free)
Q MLC 2 2
R MLC 2 2 Generation (M29 only)/Feature Set
T MLC 4 2 A = 1st set of device features
U MLC 4 2 B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set)
V MLC 4 + 4 2 + 2 C = 3rd set of device features (rev only if different)
W MLC 8 4 D = 4th set of device features (rev only if different)
Y MLC 8 4 etc.
6. Operating Voltage Range
A = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 3.3V (2.70–3.60V)
B = 1.8V (1.70–1.95V)
C = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 1.8V (1.70–1.95V)
*Contact Micron for help differentiating between standard and next-generation NAND offerings
三星内存颗粒
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
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Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
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西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
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Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量
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HY颗粒编号
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
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TOSHIBA DDR内存:
TC XX X XX XX X XX X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、TC代表是东芝的产品
2、59代表SDRAM代表是SDRAM
3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM
4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
7、代表封装：FT为TSO II封装
8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通
9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
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宇瞻DDR内存:
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
