这个问题对于老手来看可能不值一提，我由于经验不足，绕了点弯路，特开此贴算是给自己做个笔记吧，老手新手朋友路过随便看看吧，能有对大家有点帮助当然最好不过了。
前段日子做了个msata 的 2246en 256G ssd ，4贴nw593，开卡后跑了as，发现连续写入有点悲催，如图：
4贴的连续写入只有悲惨的140MB/s，折算每颗粒只有35MB/s，想到它是2ce的
(其实是4die/2ce这就是问题所在了)，慢点也属正常，再说又是自己用的，就没当回事。
本来也就这么将错就错用下去了，直到 anddraw 坛友指出我的设置可能有问题，他的8贴593折算下来每颗粒应该有50MB/s的写入速度，如图：
这时候我才如梦初醒意识到自己设置上可能有问题，anddraw 非常热心的提供了他的设置截图供我参考：
通过和自己的设置比对，发现“enable internal-intlv” 这个选项没有勾选，打开后，连续写入立马翻倍，如图：
看上去总算像样了。
关于这个选项没找到相关的资料，直译过来似乎是"开启内部交错"，从结果来看，个人感觉似乎把593这类4die/2ce的flash强制当成了4ce的来工作：
ce表上来看开启前后没有任何区别，但打开坏块表，就能看出端倪了：
上图是开启前的
上图是开启后的，可以看到，似乎把每个die分配给了一个ce通道。
那么问题来了，如果贴的是2die/2ce、4die/4ce的flash ，开启这个选项对性能有提升吗？
我找了块金胜64G的ssd来做试验，它是4贴三星 k9ldgy8s1c，2die/2ce的f。
上图是开启前的
上图是开启后的
可以看到，性能没有什么区别，甚至还差了，当然也有可能是测试误差，但有一点是肯定的：这个选项对于2die/2ce这类f是没有什么影响的。
由此看来，"enable internal-intlv"这个选项，对于像镁光nw593(4die/2ce)、nw388(8die/4ce)这类die数ce数不对等的flash，开启后性能可以有很大的提升；对于一般的2die/2ce、4die/4ce等die数ce数对等的flash那开不开启也没什么影响。
现在回想起来，原先用的都是2die/2ce、4die/4ce的flash，这个选项没发现什么作用，所以习惯都不开启的，直到遇上了nw593。。。绕了圈弯路，也算学到了
，最后特此感谢anddraw 坛友对我的帮助和提示，谢谢大家！
完结撒花
