目前MLC NAND Flash四大阵营中，英特尔和镁光的主流工艺为25nm，三星为27nm，海力士为26nm，而东芝为24nm，基本是同一级别产品。英特尔和镁光在34nm/25nm这两代上都领先一步，东芝后来居上，24nm至少在数字上要比25nm小，芯片密度更高。 英特尔持续投资IMFT工厂，至少让业界对这个产业更有信心，在去年4月，英特尔和镁光发布了世界首个基于20nm工艺制造的64Gb（8GB）MLC NANDFlash，拉开了新的制程竞赛，比如三星和东芝先后宣布了各自的21nm和19nm闪存。
20nm制程下的得与失 按照英特尔的规划，真正在自家SSD上采用20nm闪存需要等到今年的Q3，毕竟新工艺需要很多时间去完善来提高良品率，目前64M20A（产品型号，表示20nm的64Mb闪存）已经量产，尤其是异步颗粒已经能申请采购了，而同步颗粒也进入QS阶段，本月底可以申请采购。16GB的128M20A才刚刚开始进入QS阶段，不过也会很快可以采购了。
英特尔闪存在各制程下Die的比较（4GB-8GB-8GB-16GB） NAND闪存向20nm过渡，最直接的好处是可实现Die（逻辑单元，也称LUN）尺寸以及成本的逐渐减小，如上图对比那样，34nm制程下甚至生产不出8GB的Die（需要两个Die），如果基于IMFT的25nm工艺，Die大小为167平方毫米，而如果改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到118平方毫米，面积缩减了30%，芯片产量则可以提高40%，成本大大降低。 在成本降低的同时，负面的影响也很明显，对于NAND Flash，越先进制程技术生产的晶片，因为其物理特性，在相同的空间要针对更多单元做充放电的动作，完成数据读写的延时就会越久，换个方式讲，就是性能会出现下降。具体的数据如L74（64M25）其tProg=1200μs /tR=75μs，L84A（64M20A）的tR=100μs，L84B（64M20B）的延时继续增加，其tProg=1500μs / tR=150μs。
同时，新制程下在数据处理时的错误率也比较高，需要提供更好的错误校正能力。从目前的资料看，20nm制程的L84颗粒Page会有8KB（L84A）和16KB（L84B/L84C）两种，L85则都是16KB Page，由于密度的上升，每KB需要ECC数据也在增加，比如说25nm时，每1KB需要24b的ECC，当制程进步到20nm后，每1KB需要40b的ECC。
然而下面这个问题更能被消费者关注，那就是寿命。我们记得当制程从34nm进化到25nm时，闪存的P/E（program/erase）从5000次下降到了3000次，这是一个相当沮丧的消息，当再次演变到20nm时，其可擦写次数还会再降低吗？
答案是肯定的，早期的20nm闪存颗粒（F1）其P/E甚至不足1000次，目前量产的F3颗粒也只有1500次的P/E，随着工艺的改进，闪存的耐用性也会增加，英特尔称：20nm的MLC NAND Flash可擦写次数能达到3000次P/E，之后到了使用ONFI3.0标准时，甚至可以达到5000次。但就目前看来就算新制程的MLC NAND Flash达到了3000次P/E数，读写寿命依然只有当初50nm时的三分之一。
[ 此帖被mshijunjie在2013-01-06 07:24重新编辑 ]
