100万次擦写！三星首创45nm嵌入式闪存
2013-05-18 11:37:15 1004 人阅读 作者：上方文Q 编辑：上方文Q [复制链接] [爆料] 评论(1)
三星电子近日宣布，正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash，并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺，为量产和商用打下了坚实基础。
三星宣称，基于其45nm eFlash的智能卡电路具备极高的可靠性、耐久性，每个闪存存储单元都可以确保100万次的擦写循环，是市面上其他方案50万次的两倍，因此性能也是极为出色的。
而通过对闪存单元架构、操作机制的双重改进，测试芯片的随机访问性能、能耗相比于上代80nm eFlash分别提升了50％、25％。
三星计划在2014年下半年出货基于45nm eFlash的智能卡电路的样品。除此之外，这种嵌入式闪存还可用于NFC、eSE(嵌入式安全设备)、TPM(可信赖平台模块)等领域。
