[闪存]闪存SLC、MLC、TLC [复制链接]

    可以说TLC最大的争议就是通过减少读写磨擦来削减使用寿命，TLC是三层单元，而目前在消费领域广泛使用的SLC、MLC三者在物理上很相似，都有类似的晶体管组成，唯一的区别就是每个单元存储的数据比特(位)不一样，其中SLC只有一个，MLC是两个，TLC则是三个。

    可以举一个更为简单的例子，同样是16GB（172亿个晶体管）的原始NAND阵列，SLC闪存等量得到16GB容量，ML可以达到到32GB，TLC则可达48GB。像是一桶酸梅茶，本来是一桶，现在要稀释成三桶，问题就出来了。

    用寿命换取预算的做法，TLC正是如此。

    目前TLC的P/E仅为1000，是MLC的三分之一，SLC的百分之一，这样的原因可能要追究到半导体晶体管的化学原理上，我们也不做过多说明，总之每一次的P/E值消耗都会导致闪存内部硅氧化物的损耗，TLC的工艺更低，自然耐用性就更差。