最近又入了几个U盘就有疑问MLC-4K MLC-8K实际有什么区别。找到一篇文章 不知道说的是否准确 请大家补充讨论
MLC和SLC的区别
NAND FLASH作为目前电子设备的存储主体，已经非常广泛的应用到各种产品当中。
从技术类型上来讲，NAND FLASH分为两种：SLC和MLC。
关于SLC和MLC孰优孰劣，网上已经有大量文章刊载，一些2007年以前的资料，基本是在讲SLC的优势；随着英特尔、东芝、三星等公司的技术跟进，以及MLC的普遍应用，从08年以后发表的文章，基本是在讲MLC的好处了，MLC不可避免的成为当前设备存储的主流，市场上新推出的数码产品，已经很难找到SLC的身影！我们不禁要感叹，电子技术的发展真的太快了。
这里需要澄清几个概念：
一、无论是SLC还是MLC，没有软件的坏块管理是根本无法使用的。一片全新的NAND芯片，包括SLC和MLC，出厂时都会有几个坏块存在，随着擦写次数的不断增加坏块会越来越多，不过用户不用担心，软件的坏块管理是非常成熟的技术。
二、芯片的擦写次数不是读次数，NAND的读次数是无限制的！很多人存在这方面的误解。
三、芯片单个BLOCK的擦写次数不等于整个芯片的擦写次数！而数据手册上介绍的只是单块的擦写次数。因为MLC的容量能比SLC大很多，所以从总体上来讲，MLC的使用率并不会弱于SLC。
四、数据存放的稳定性和擦写次数是没有关系的。大家都知道NOR FLASH比NAND FLASH要稳定的多，但NOR的擦写次数却不到NAND的十分之一！
五、关于bootloader的擦写，我们根本不用担心多次擦写会带来芯片损毁，飞凌的研发工程师，每天都要去擦写系统修改软件，从来没有出现因此而导致NAND报废的情况。从用户反馈来看也同样如此。
六、SLC会消亡吗？不会的，他至少要和MLC共存很长一段时间，就像NOR FLASH一样，仍在被大多数单片机所使用；目前绝大多数的ARM7、ARM9系统，并不能很好支持MLC；从ARM11开始最新的处理器，对MLC的支持就非常成熟了。这里另外澄清一个概念，S3C2440也是可以支持MLC的！但是从技术上还不成熟，尤其没有4位以上的硬件纠错。
七、另外告诉大家一个事实，我们提供了4位的纠错算法，但是从实践上来看，MLC NAND极少出现超过1位错误的情况，这虽然并不能说明不需要4位纠错，但无疑这样做系统具有更强的抗风险能力。
八、对一款国产手机产品‘魅族M8’曾经‘数据丢失’的真正原因我们并不清楚，但可以肯定的是，这款手机仍然在用MLC。
飞凌提供了两种类型的6410开发板，分别支持256M的SLC以及2G的MLC，在成本上来讲，后者还是要高于前者，但是性价比更优秀，更能代表将来的趋势，开发学习会更方便。具体如何选择，用户可以参照我们提供的各型号开发板的资源对比，并根据自己的需要来选择。
MLC-4K MLC-8K的区别
随着MLC的逐步普及，使用MLC的6410开发板也逐渐多了起来。
目前，市场上的2G MLC NAND主要有两种：一种是K9GAG08U0E，另一种是飞凌使用的K9GAG08U0D。这两种芯片在读写时序和驱动程序方面完全相同，不同的是前者的页大小为8K，后者的页大小为4K。这里需要说明的是，更大的页需要更好的纠错能力，也就是说在K9GAG08U0E上进行8位纠错和在K9GAG08U0D上进行4位纠错，前者的数据安全性会更差，而且8位纠错算法的软件要占用更多的处理器时间。
另外，实际测试结果表明，K9GAG08U0E的读写速度要远低于K9GAG08U0D，除了软件算法本身的原因以外，硬件方面存在着固有的差距，这点从两种芯片的数据手册中可以看出来：
K9GAG08U0E的数据手册中是这样描述的：
而对于K9GAG08U0D，手册中查到的实际参数如下：
就是说前者读一页需要400us（微秒），而后者需要60us（微秒），差距是不言而喻的。
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