关于SLC和MLC NAND闪存可分为两大架构：单层单元（Single Level Cell），SLC和多层单元（Multi Level Cell），MLC。
SLC是基础的NAND闪存技术，与EEPROM的原理类似（整个NAND闪存都是东芝根据EEPROM发展开发的）。
其工作原理简单来说，是在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），
数据是0或1取决于浮动栅中是否有电荷。有电荷为0，无电荷为1。写入时只有数据为0时才进行写入，写入方式是向栅电极和漏极施加高电压，
增加在源极和漏极之间传导的电荷能量。电荷突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。
采用这样的方式在每个Cell中可存储1个bit的信息，其特点是稳定、读写速度快，但Cell可写入次数为10万次，三星是SLC是主要倡导者。
但是SLC也有很大的缺点，就是同面积容量比较小，并且由于先天上的限制，基本上很难再往前发展。
1997年，Intel率先研发成功MLC，其原理是将2个或2个以上bit以上的信息写入一个浮动栅，然后利用不同电位的电荷，
透过内存储存格的电压控制精准读写。MLC由于成本低，容量大，问世以来得到了Intel、东芝、Hynix等多家闪存大厂的支持，
其中东芝更是大力发展MLC技术。不过，MLC也有其缺点，那就是工作不如SLC稳定，读写速度也比SLC慢。
还有，MLC的可写入次数为1万次。因此，MLC曾一度被误解为劣质闪存芯片。
不过，由于容量上的先天优势，MLC技术也在不断改进和发展。
