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首先我的盘子资料之前在存储产品导购已经发过了： http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=138287 个人对交错问题很有兴趣，想知道原理到底是什么！但是无论是坛子里或搜索引擎上都没用相应的信息！很无奈，如果有专业人士，刚好又懂行的，希望指教下!谢谢！ 下面是我的盘子在3种交错情况下的使用情况： 首先是1，2图，这是未量产前的状况。INFO中显示为2way内部交错，无外部交错状态。从ATTO和实际使用来看，基本符合！实际读写达到 写11M读21M 接下来3，4图，量产工具中设置为4way外部交错，实际量产后INFO中显示为4way外部交错，无内部交错状态！从ATTO和实际使用来看，有些出入了！从ATTO来看可以达到 写15M+读22M+，可实际只有 写12-13M 读20-21M 最后是5，6图，这是我试过的最后一种方式，在量产工具中设置2way外部交错后量产，结果量产后显示为2way内部交错+2way外部交错。看到这结果，我也意外哈！先来说速度哈，从测试来看，读写速度变慢了。在实际使用中，确发现读写速度居然和测速一模一样！ 造成4way外部交错与2way内部交错+2way外部交错之间读写差距的原因，可能是FLASH的体质原因。我盘子里的FLASH是50nm的inter芯LGA封装的，我估计内部是双晶结构，所以量产工具直接识别为（或者说厂方直接设置为）2way内部交错（最高4way交错） 模式！但如果舍弃2way内部交错，直接上4way外部交错的话，就会造成FLASH与主控直接的读写不稳定，从而造成写速度忽高忽低很不稳定！而折中的选择2way内部交错+2way外部交错刚好解决了这个问题，使得读写更趋稳定。 当然有朋友的盘子可能是后来的东芝TH58NVG7D1DLA87，09年01月份出厂的56nm芯片！那性能比我这个好一些，但是这FLASH出厂量产为4way外部交错，不知有没朋友试过设置2way外部交错后是否会出现相同状况，有试过的朋友分享下！另外最新的金士顿用的是I29F16B08JAMD2的34nm新制式芯片，性能可能要比以上两块FLASH要差，无论是读写性能和使用寿命，貌似出厂设置为无交错状态，不知道各状态下读写怎么样?！ 因为人在外面，图不多。实际测试的FASTCOPY和HD tune图没法贴，只能口述实际情况。非常抱歉哈！另如有谬论之处，还请指正，在此先谢过了哈！
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