闪存、内存的疯狂涨价，让三星今年大赚特赚，当然他们在新技术上的投入也没有手软，而现在三星位于京畿道平泽市的新半导体工厂已经正式投入生产，其主要量产的是第四代3D NAND闪存芯片，其垂直堆叠达到64层。
三星新一代64层V-NAND数据传输速度为1Gbps，提供业界最短的500微秒（㎲）的烧录器，烧录单个芯片的时间，
比典型的10nm级的平面NAND闪存快约四倍，而比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了1.5倍。三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，
这次开足马力让第四代3D NAND闪存芯片大规模生产，可以缓解闪存、SSD目前短缺的状况，当然也能拉低产品的售价。接下来，三星还将通过堆叠超过90层的单元阵列，来生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
