KS6808 关键特征
1、 实时硬件8 bit /512 byte 的 ECC 纠错能力，全面支持各种FLASH，包括：
SLC、MLC、3LC、4LC 的8 bit NAND Flash
512byte/page、2k byte/page 和4k byte/page 的Flash
各种不同制程的Flash，如90nm、 70nm、50nm、40nm、30nm 等IC CMOS 工艺
1 个CE （片选）、2 个CE、4 个CE 和8 个CE 的Flash
3.3v 和1.8v 的Flash
AG-AND 、AND Flash
NOR Flash （包括8bit 和16bit 的NOR Flash ）
2、 快速反应及强大坏块管理能力支持Downgrade、白片和黑片等各种特殊Flash
固件程序可全部更新 (CBX 的方案，固件扩展一般只有1 到2K) 。
ASIC 硬件设计灵活，在设计之初即充分考虑后续固件扩展的灵活性
多级别高效坏块扫描算法
全面坏块管理方式
可调的动态坏块管理Bad Block Management 功能
3、 支持混合双贴Flash，包括：
同厂家、同制程、不同Flash 型号的混合双贴，如TC58NVG4D1D+TC58NVG3D1D
同厂家、不同制程、不同Flash 型号的混合双贴，如TC58NVG4D1D+TC58NVG1S
不同厂家、同制程、不同Flash 型号的混合双贴，如TC58NVG1S+K9F2G08U0M
不同厂家、不同制程、不同 Flash 型号的混合双贴，如 TC58NVG4D1D+
K9F2G08U0M
4、 读写速度
连续读写： 14M byte/s （读）、13M byte/s （写）（单通道方式）
随机读写： 2 M byte/s （写）
采用Multi-plane、Inter-leave 等技术，优化和提高读、写速度
http://dl.mydigit.net/2010/12/501.html
