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[SMI]4贴NW711 256GB SLC 考验2246EN极限 [复制链接]

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只看该作者 80楼 发表于: 09-01
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jyyun:楼主真的是建兴上班的,好的,能否问你下,建兴T10的颗粒是什么型号的,只知道是东芝的,群联打标的 (2018-09-01 15:24) 回 jyyun 的帖子

T10 :TH58TEG9DDLBA89,个别型号是TH58TET0DDLBA89,这个当时是东芝转3D产线前的最后的一批料,那时候很多产线转测3D颗粒,导致2D颗粒封测能力不足,是群联全部按东芝的标准进行测试筛选封装的,有兴趣的可以拆一片读一下原厂坏块、这个寿命在2000-3000之间,毕竟16nm
T10 Plus:TH58TFT0T23BADE,3D TLC,标称寿命在3000-5000之间,注意这是配合42 ecc才有的结果,如果配合最大值的110 ECC的寿命是8000左右
离线jyyun

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只看该作者 81楼 发表于: 09-02
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技术宅小唐:T10 :TH58TEG9DDLBA89,个别型号是TH58TET0DDLBA89,这个当时是东芝转3D产线前的最后的一批料,那时候很多产线转测3D颗粒,导致2D颗粒封测能力不足,是群联全部按东芝的标准进行测试筛选封装的,有兴趣的可以拆一片读一下原厂坏块、这个寿命在2000-3000之间,毕竟16nm
T10 Plus .. (2018-09-01 17:03) 回 技术宅小唐 的帖子

谢谢楼主了告之,不过很蛋疼,T10 PLUS TLC PE在3000-5000?而T10 MLC反而才2000-3000,不会吧,能托你帮我骂骂你们建兴的领导层么,怎么做事的,忽悠消费者么,宇瞻Z280 M.2 PCIe SSD 的15NM东芝MLC THS8TFG9DFLBA8C型号,我曾经发的http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2047199,当初这几批一起出来,应该都是东芝的THS8TFG9DFLBA8C颗粒把

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只看该作者 82楼 发表于: 09-02
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jyyun:谢谢楼主了告之,不过很蛋疼,T10 PLUS TLC PE在3000-5000?而T10 MLC反而才2000-3000,不会吧,能托你帮我骂骂你们建兴的领导层么,怎么做事的,忽悠消费者么,宇瞻Z280 M.2 PCIe SSD 的15NM东芝MLC THS8TFG9DFLBA8C型号,我曾经发的http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2047199 .. (2018-09-02 00:02) 回 jyyun 的帖子

寿命是看工艺的,3D制程工艺都在30-50nm,硅层很厚,不容易发生电子遂穿(俗称漏电)、
nm数越小,寿命越低、
43nm寿命>15nm寿命,32nm的MLC都敢标5000PE,19nm只敢标2000-3000、而15nm估计连2000都成问题、更别说15nm TLC了,这玩意的漏电率不是开玩笑的、
为什么要大力研究新制程呢?nm越小,同样的硅片就能装下更多的单元,同时速度更快、
要不然靠着43nm一片才4GB的容量,成本怎么会降得下来?

到了3D工艺不一样了,
保持43nm工艺,
只要简单的堆叠一层又一层、叠到64层,72层甚至96层、就是封装时候稍微厚了0.几毫米
单片就能做到4Gib x 96=384Gib、贴3片就能做到1TB容量了、
要是2D单平面工艺做1TB,这PCB得TM一个脸盆大、
这下好了,要PE有PE,要容量有容量、
速度啥的就不考虑了吧,毕竟鱼和熊掌不可兼得
离线jyyun

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只看该作者 83楼 发表于: 09-02
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技术宅小唐:寿命是看工艺的,3D制程工艺都在30-50nm,硅层很厚,不容易发生电子遂穿(俗称漏电)、
nm数越小,寿命越低、
43nm寿命>15nm寿命,32nm的MLC都敢标5000PE,19nm只敢标2000-3000、而15nm估计连2000都成问题、更别说15nm TLC了,这玩意的漏电率不是开玩笑的、
为什么要大力研究新 .. (2018-09-02 00:52) 回 技术宅小唐 的帖子

有理,谢谢了,学习了,一般来说,工艺NM数越小,性能各方面都越好,原来在颗粒上是反过来的啊