切换到宽版
  • 1575阅读
  • 16回复

[C51]stc12控制可控硅加热,可控硅导通瞬间干扰过零检测,这个怎么破? [复制链接]

上一主题 下一主题
离线yanjcai

发帖
191
M币
115
专家
0
粉丝
8
只看该作者 10楼 发表于: 07-18
过零中断之后先关掉外部中断,然后等定时器时间到了触发可控硅之后,加入一点时间,再打开外部中断。加入的时间你自己根据可控硅斩波的宽度调整。
离线qijun68

发帖
7347
M币
6708
专家
1
粉丝
20
只看该作者 11楼 发表于: 07-18
用东芝的TLP3062,抗干扰性能好上一大截,MOC3061在1500v的脉冲串下,已经开始失控,而TLP3062可以达到4000v脉冲串的干扰而不失控。
离线陈皮

发帖
63
M币
600
专家
2
粉丝
15
只看该作者 12楼 发表于: 07-18
回 yanjcai 的帖子
yanjcai:过零中断之后先关掉外部中断,然后等定时器时间到了触发可控硅之后,加入一点时间,再打开外部中断。加入的时间你自己根据可控硅斩波的宽度调整。 (2018-07-18 00:32) 回 yanjcai 的帖子

试过在定时器中断中关闭外部中断,结果发现在延时时间在接近下一个过零点时会发生不能可靠检测到过零点而没有触发可控硅
代码:
/*外部中断0中断服务程序*/
void exint0() interrupt 0           //(location at 0003H)
{
    TL0 = (65536-time)%256;        //设置定时初值
    TH0 = (65536-time)/256;    //清除TF0标志
    TR0 = 1;        //定时器0开始计时
}

//定时器0中断程序

void timer0() interrupt 1
{
    uchar i;
    TR0 = 0;
    ET0 = 0;
    Out=0;
    for(i=0;i<2;i++);//延时
    Out=1;
    ET0 = 1;
}
离线陈皮

发帖
63
M币
600
专家
2
粉丝
15
只看该作者 13楼 发表于: 07-18
回 zeze10000 的帖子
zeze10000:中断里检测低电平时间 (2018-07-11 15:48) 回 zeze10000 的帖子

这个方法不太好实现:
如果过零点立即触发或者非常接近下一个过零点触发,干扰和正常过零点间隔很小,用检测低电平时间好办。
加入过零点后5ms触发可控硅,那正常过零点和干扰产生的低电平时间类似就不方便检测低电平时间了
离线陈皮

发帖
63
M币
600
专家
2
粉丝
15
只看该作者 14楼 发表于: 07-18
回 bg4rff 的帖子
bg4rff:硅两端并上吸收电路,就是RC
如果用带过零检测的光耦行不行3063之类的? (2018-07-13 18:36) 回 bg4rff 的帖子

请问RC吸收电路参数如何选择呢?
离线bg4rff

发帖
1432
M币
1220
专家
8
粉丝
27
只看该作者 15楼 发表于: 07-19
回 陈皮 的帖子
陈皮:请问RC吸收电路参数如何选择呢? (2018-07-18 09:55) 回 陈皮 的帖子

https://www.sogou.com/link?url=DSOYnZeCC_owkDvmYG0gMz-JrNZwwuWKqAcg2HiJ_2T6Oq95FUUdl0EP5l1CfC_yAc57_WDOVKCuLaNMGv04nw..
这篇也许是您需要的
回江苏南通如东了,闲暇时间较多,欢迎交流
离线zhxzhx

发帖
311
M币
2
专家
2
粉丝
6
只看该作者 16楼 发表于: 07-21
桥串220K电阻,检测220那端