单芯片1TB！Crossbar RRAM挑战闪存
美国加州创业公司Crossbar, Inc.经过长期沉默后突然爆发，宣布了自主研发的全新大容量、高性能非易失性存储技术“Crossbar Resistive RAM”(电阻式记忆体/RRAM)，号称可在200平方毫米大小(基本上就相当于个拇指盖)的芯片里存储最多1TB数据。
Crossbar宣称，相比于当今最先进的NAND闪存，这种新型存储技术能带来20倍的写入性能(140MB/s VS. 7MB/s)、10倍的可靠性和耐用性(125℃下十年VS. 85℃下一至三年)、1/20的功耗，而内核面积可以小一半还要多——官方数据是同样的25nm 8GB，NAND闪存需要167平方毫米，RRAM只需77平方毫米。
另外，NAND闪存在25nm工艺之后出现了严重的性能下滑、寿命缩短问题，RRAM则可以一路走到5nm甚至更远。
