之前在
[综合]NS1081做的U盘温度都很高吗？铝壳用红外测温仪竟然测得85摄氏度！！！中发现NS1081搭配某些闪存会产生极高温的现象。
因为一直没有拆开，只能测试外壳的温度。今天终于把它拆开了，请看看内部的温度由多到高吧！
主控板正面
主控板背面，没有外置DC-DC电路，显然VCC与VCCQ都是3.3V，且无法调节。
NS1081主控
正反两面各有一个闪迪 SDIN9DW5-32G 闪存，只知道它是153bga封装的eMMC芯片，其他具体信息未知
下边温度测试均在USB2.0模式下进行，原因你懂得：
进行TXBENCH测试时测得的温度
USB2.0进行读写测试时闪存表面温度
93.5℃！！！（气温32℃）——这还仅仅是USB2.0下的温度而已，USB3.0下的温度将会达到多高，请各位自行脑补！为了U盘不一命呜呼，在下实在没有胆量进行USB3.0下的测试。
忘了说了，此U盘是台电 骑士 64G。
由此可见，强制把闪迪 SDIN9DW5-32G之类新制程的需要1.8V VCCQ的eMMC闪存芯片搭配到NS1081 板子上带来的结果就是连续读写时的极高温。因温度超过正常值太多太多，若时间稍长，就会对eMMC闪存芯片造成不可逆转的损坏（过热击穿或降速到极低）。综合各方面信息来看，瑞发科NS1081根本不支持1.8V VCCQ工作模式，即使外置DC-DC强制将VCCQ降低为1.8V，因IO工作电压所限，NS1081依然无法正常工作。这是硬件设计上的局限，显然不是固件可以解决的，否则如台电这样的厂商就不会舍近求远弄个降速的固件而不用降压固件了（降速固件肯定是瑞发科提供发热，那么为啥不提供降压固件呢？如果真有这种固件的话，瑞发科会不提供？答案显然是没有）。
另外，将VCCQ电压降低到2.7V或加强散热等等”方法“都是治标不治本的，根本问题依然是存在的。虽然暂时可用，但1.8V芯片强制使用3.3V后果不仅仅是巨量发热，恐怕还会带来其他问题（犹如CPU加压超频容易”电子迁移“而缩肛般，加压如此之多必然缩短寿命）隐患依然存在。若非要说没有问题，那真是自欺欺人了！
可实际上现在市面上有着大量和此U盘类似国货“精品”（连台电 忆捷 DM 朗科等品牌U盘都在其列，至于那些”DIY“的更不必说）的64G及以上的大容量USB3.0 U盘，很多都是NS1081搭配的就是最新的eMMC芯片（就是那种需要1.8V VCCQ的新制程的大容量eMMC）。这些JS为了使eMMC不至于过热烧毁，普遍采用特制的降速固件来限制eMMC读写速度的方法（此台电U盘出厂固件就是1.76版的特制版本）。此时，若刷入普通的未降速固件（1.73公版），虽然速度可以获得很大提升（USB3.0下读写速度从之前的69/25跃升到之后的155/45)，但也会带来无法承受的热量，就会导致极高温:外壳动辄上80℃，内部温度轻松上百℃！结果就是完整性测试都做不完，U盘就一命呜呼（emmc过热烧毁）了。这些无良JS明明清楚知道这样做将产生极大的隐患，却不采取任何改进电路乃至更换方案的办法（会增加成本）来根本解决或避免这个问题产生，偏偏采用特制固件强制降速的方法来”解决“，归根到底还是一个字:钱（JS的本质决定）。显然1081主控加emmc的成本应该不仅低于普通USB3.0主控加正片闪存的U盘，甚至低于普通主控搭配白片乃至黑片闪存的成本。恰如下边这句名言： ——“如果有100%的利润，资本家们会铤而走险；如果有200%的利润，资本家们会藐视法律；如果有300%的利润，那么资本家们便会践踏世间的一切” [ 此帖被aping365在2016-07-09 13:01重新编辑 ]
