【2013/2/22，台北讯】全球NAND Flash主控芯片领导厂商Silicon Motion Technology Corp. (NasdaqGS: SIMO) 今日宣布推出新款符合SD 3.0 UHS-I(Ultra High Speed Phase I)规格的SD卡主控芯片—SM2703。SM2703是极具成本效益的单通道解决方案，强力支持各种最新的闪存，包括2y/1x/1y奈米的TLC与MLC，以及高速Toggle-Mode与ONFI DDR NAND。高效能的SM2703 UHS-I主控芯片提供领先业界的数据传输速度，搭配TLC NAND Flash读取速度最高可达每秒95MB。采用SM2703，Class 4及Class 6 SD闪存卡即使搭配低成本TLC NAND Flash，数码相机、智能型手机或其他行动装置也能拍摄出高画质的Full HD影片。此外，Silicon Motion的OEM客户若选用高效能的MLC NAND Flash，搭配SM2703主控芯片则可提升到UHS-I Speed Class 1的效能，相当于Class 10 SD卡的传输速度，让采用较高容量SDHC/SDXC闪存卡行动装置的用户获得最佳拍摄经验，无论是更快速地存取数据、完美录制Full HD影片，或是高速连拍。
「Silicon Motion从2011年推出第一颗UHS-I主控芯片(SM2702)以来，已成功在UHS-I市场奠定根基。」Silicon Motion总经理苟嘉章表示：「我们的SM2702已被大多数闪存卡领导品牌所采用，包括美国、韩国、日本、台湾与中国一线的OEM客户及模块厂。Silicon Motion UHS-I解决方案被市场广泛接受的主因，除了产品本身兼具效能及成本效益，另一项重要因素是对NAND Flash的绝佳支持能力。凭借我们在UHS-I市场的强大市占率及产品开发经验，加上与SM2702相同的韧体架构，SM2703的客户能大幅缩短产品开发及验证时程。为了协助提升全球UHS-I闪存卡的采用率，SM2703采单通道、55奈米制程设计，提供最具成本效益的高效能解决方案，加上内建专利的错误修正码引擎(Configurable BCH ECC Engine)，不但能大幅提升产品可靠度及延长使用寿命，更能满足客户弹性选用各种MLC或TLC NAND Flash的需求。」
SM2703提供绝佳的静电放电(ESD)防护能力(通过+/-6KV直接放电测试)，在高温(85°C)测试下仍维持极低的待机与操作电压，成为寻求低耗电、高效能解决方案OEM客户的最佳选择。SM2703预计于2013年3月初正式进入送样阶段。
SM2703特色重点摘要：
- 符合SD 3.0 UHS-I规格(SDR50/SDR104/DDR50)
- 支持SDXC/SDHC Class 10及UHS Speed Class 1
- 市场上最具成本效益的UHS-I主控芯片，尤其对TLC NAND Flash具备绝佳的支持能力，读取速度高达每秒95MB
- 搭配一颗TLC NAND Flash即可支持Class 4与Class 6的装置进行Full HD高画质录像
- 能让消费者获得最佳的行动装置使用经验，包括高像素摄影、Full HD高画质录像或3D影片录制及播放
- 内建功能强大的错误修正码引擎(Configurable BCH ECC Engine)，大幅提升产品可靠度及延长使用寿命
- 绝佳的静电放电防护能力(通过+/-6KV直接放电测试)
- 极低的待机与操作电压(在85°C高温测试下)
- 支持大多数的NAND Flash，包括2y/1x/1y奈米的MLC与TLC，以及高速Toggle-Mode与ONFI DDR NAND
