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[通信]拆个诺基亚LTE设备用的基带扩展板 [复制链接]

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离线wuxingyuan20
 

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只看楼主 倒序阅读 我要置顶 楼主  发表于: 2015-11-19
诺基亚老LTE设备上用的基带扩展单元,增加一块可以支持8*20M带宽的LTE小区,最大单站仅支持3个8*20M带宽的LTE小区,现在部分站点为了做载波聚合已经替换为新室内型设备,新的基带扩展板功能升级,1块就可支持3个8*20M带宽的LTE小区。移动是在2600M band41上做单扇区2个载波的聚合。这次拆的是老设备上用的,室外型的那种,新旧设备功能可以参考百度文库wenku.baidu.com/view/ab8c257676c66137ee0619fd?fr=prin,这里放个截图


接口,左边俩是电源口,一个输入一个输出,中间是SRIO接口,不知道是什么功能,没见用过,中间标有BB EXT接口就是基带扩展接口,接BBU,RF接口是6.14G的光口,接塔上RRU(射频拉远单元)。整个板子外壳都是铝的,散热做的很下血本。


拆开后的造型,外壳跟板子中间用的导热硅脂,一大片。接口,电源,基带三个部分,接口已经介绍过了。


板子背面,密密麻麻的小电容,都是陶瓷电容


电源部分全貌


右侧输入部分白色的是6.3A保险丝,紧挨着的是IOR的MOS,标识:5110  C417P OWVB,型号应该是IRFH5110,N沟道功率MOS管,12.4mΩ,100V耐压。PDF资料地址www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfh5110pbf.pdf
左上角的是072N15N,完整型号应该是IPB072N15N3 G,英飞凌的场效应管,150V耐压,7.2mΩ,最大100A电流,PDF资料:http://www.infineon.com/dgdl/IPP075N15N3+G_Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6
下边是俩一模一样电感,再下面是共模电感


右上角121B 410R,应该是个光耦吧,查不到资料。中间俩变压器,一个pulse的,一个EPCOS的


德州仪器的UCC2897A高级电流模式有源钳位 PWM 控制器,PDF资料地址www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/ucc2897a.pdf
下面俩7430,完整型号未知,查不到资料,应该也是MOS管,有控制端


5个一模一样的027N04LS,英飞凌家的,完整型号:BSC027N04LS G,资料地址www.infineon.com/cms/cn/product/power/power-mosfet/20v-300v-n-channel-power-mosfet/40v-75v-n-channel-power-mosfet/BSC027N04LS+G/productType.html?productType=db3a304412fcb7bb0113250f84e61cb2

这张比较清楚


PDFAF FDMS 2572,查不到资料,应该都是MOS管


4个电容


耐压80V的电容,输入电压是48v的通信用电源


传图限制,先到这,后面更精彩。有感兴趣的坛友可以发私信,40一块包邮走咸鱼

[ 此帖被wuxingyuan20在2015-11-23 20:13重新编辑 ]
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