都说mlc擦写次数低，但是看到介绍里有提到“磨损平衡算法”这一技术，也就是智能控制数据写入到擦写次数较少的部分。
据我的理解，通过这个技术应该是整块芯片都写入一次后才能算作Flash完整擦写一次。是这样么？
我想，mlc单芯容量大，那么完整擦写一次所用的周期应该更长，同时也就弥补了擦写次数上的不足。
不然假设一块2GB的mlc芯片，你只写4MB文件，然后删除，再写一个4MB文件，再删除，如此往复，假如是没写一次就算做擦写一次，那么擦写次数达到极限后，岂不是剩余的大部分都被连累了吗？
所以我觉得mlc擦写次数应该是只单部分区域的擦写次数，至于整块芯片的擦写寿命，是可以通过“磨损平衡算法”来提高的。
照这样，那么：
SLC：单芯容量小，但擦写次数多
MLC：擦写次数少，但单芯容量大
这样看来slc和mlc寿命也是不相上下的，这样的理解对么？
补：
另外假设平衡磨损算法无作用，那么U盘将会因为坏块增多而容量越用越小。但是mlc在容量上仍具有优势。
SLC：擦写次数多，容量减小慢，但容量较小
MLC：擦写次数少，容量减小快，但容量较大。
这样在使用寿命上不是也可以做一个均衡吗？
[ 此帖被jgz在2011-10-15 23:02重新编辑 ]
