三星电子是全球最大的NAND公司，同时也是对TLC闪存最为积极的SSD厂商，已经在840及840 Evo两代产品上使用了TLC闪存（官方叫法是3bit MLC闪存），新一代的850 Evo很快也要问世了。对于TLC闪存，消费者最为担心的就是可靠性了，虽然之前的各种测试显示三星的TLC闪存达到甚至超过了标称的P/E次数，但这不代表TLC闪存就万无一失了，有玩家测试发现它的840 Evo硬盘在读取长时间存放的旧文件时性能大幅降低到60MB/s左右，严重不正常。
首先发现这个问题的是Overclock论坛玩家gino074，他是三星SSD控，系统盘是256GB的840 Pro，此外还分别有1个500GB、1个1TB的840 Evo硬盘，在两个840 Evo硬盘上都发现了一个问题——读写新文件时性能还是正常的450MB/s速度，但在读取旧文件（存放时间超过数周或者数月）时速度低至60MB/s。重启之后速度有改善，但效果并不明显，还是不能恢复应有水平。
840 Evo硬盘的HD Tach v3测试
840 Pro的HD Tach v3性能测试
他手头有840 Evo和840 Pro两种硬盘，测试之后发现840 Pro没问题，新旧文件速度都正常，而两个840 Evo都有问题。
Anandtech网站看到这事之后与三星公司做了沟通，三星已经着手调查此事，准备通过固件升级的方式解决，但是目前还没有时间表，三星表示会尽可能快解决。
对于这个问题的原因，现在也没什么技术解释。根据笔者的经验，TLC闪存理论上性能确实比MLC要低，因为存储的电位更多，电压变化也更复杂，三星的840 Evo读写速度很强大，不过这并非TLC闪存的特点，而是三星的SLC缓存及其他技术辅助而来的，旧文件读写速度极具降低很可能是因为固件没考虑到长时间存放的文件，读取时可能没做加速，以致于性能漏了原形。当然，具体的解释还得等三星官方调查之后再说。
TLC闪存会是各大NAND厂商的下一个目标，三星之外闪迪也推出了TLC闪存的Ultra II系列硬盘，并且闪迪、东芝合资的Fab 5二期工程这个月就要完工，准备大批量生产TLC闪存了，之前美光也表态今年底推出TLC闪存，明年大批量上TLC闪存看起来势不可免。
对于TLC闪存，小编的态度一直是明确的：它确实对厂商降低成本非常有利，但是，除非TLC闪存的SSD在售价上相比MLC有较大优势，否则根本没有选择TLC的必要。
