EPROM的总体结构、工作原理和使用方法都与掩膜ROM相同(见只读存储器)。区别是EPROM存储矩阵的每个交叉点上均接有叠栅注入MOS管作为存储单元。
图示出叠栅注入MOS管的结构。在浮置栅Gf没有充电时，加到控制栅Gc上的正常逻辑高电平能使MOS管导通；在浮置栅上充有负电荷以后，在控制栅上加正常的逻辑高电平，MOS管不导通，相当于没有接入这个存储元件。编程时在漏极与源极间加以高电压，使之产生雪崩击穿，同时在控制栅上加高压脉冲，则一些能量较大的电子便穿过SiO2层到达浮置栅，形成充电电荷。
需要擦除时可将EPROM表面的透明窗口置于一定强度的紫外线灯下照射，经15-20分钟后浮置栅上的电荷即可泄漏掉。平时应将透明窗口密闭遮光，以保证浮置栅上的电荷长期保存。这种用紫外线擦除的EPROM也叫UVEPROM
这是我手里有的- -！上边的是网上找的图.
