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(5楼总结,欢迎大家发表看法)求助,U盘无法格式化,SDIN4C2-8G芯片的相关信息。 [复制链接]

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离线antzhai
 

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只看楼主 倒序阅读 我要置顶 楼主  发表于: 2011-02-02
手上有一LD的8GU盘,无法格式化,用ChipGenius检测主控为UD6809—UD6816,用金存KingStore UD6810量产工具MPTool2 V1.0.0.2进行检测有反应但无法识别闪存芯片的具体型号。拆盘后发现主控标识为YS8230A 8F6390,闪存芯片为SanDisk的SDIN4C2-8G(比较特殊,和普通闪存芯片似乎不一样,
资料如下:SanDisk iNAND,是一种小型的、便于集成的高速 NAND闪存SD接口芯片。嵌入式闪存对高档消费电子产品如 MP4 播放器、GPS通信设备、个人媒体播放器及移动电话来说是一种流行的存储解决方案。
SanDisk iNAND 是一个完整的子系统,在单个设备中集成了串行控制器和高速 NAND 闪存。iNAND 控制器节省了主系统 CPU 和 RAM 缓冲,从而确保了高可靠性并提供一个完整的磁盘式文件管理结构。并配备了业界接受的 SD 串行接口,SanDisk iNAND 可在与 SD 卡相同的总线上运行。
产品型号:
SDIN2D1-1,SDIN2C1-2G,GSDIN2C2 -4G,SDIN2C2-8G,SDIN4C2-2G,SDIN4C2-4G,SDIN4C2-8G)


由于无法识别闪存芯片,无法量产修复。
各们老大有没有遇过这种情况,能否告知具体解决方法?谢谢!

经多次实验,发现用金存KingStore(硅格) UD6810MPTool2 V1.0.0.2这个版本的量产工具,在手动选择闪存型号的情况下,可以格式化U盘,但最后会因为闪存型号没选对而提示坏块太多,在写配置表时失败。由此基本可以确定是硅格出的主控,可能是UD6810或UD6816(但更大的可能是SG128和SG138,只有这两种才支持嵌入式闪存,其它版本量产工具都没有SG128和SG138的信息,只有这个版本有)。只是因为缺少SDIN4C2-8G芯片的相关信息而造成量产失败。现附上该量产工具,闪存的配置文件是“CFG”文件夹中的flash.ini,可用记事本打开编辑。希望有高手能补上SDIN4C2-8G芯片的相关信息或提供相关资料、方法。祝大家新年快乐!



找到的一些资料(转贴):

1、THGBM1G6D4EBA14(东芝,TOSHIBA,16x18x0.95mm, pitch=0.5mm)
2、SDIN4C2-4G(新帝,SanDisk, 16x12x0.85mm, pitch=0.5mm)

IC编号
容量
封装
大小
SDIN4C1-4G
4Gx 8
FBGA169
16x12x0.85mm
SDIN4C1-8G
8Gx 8
FBGA169
16x12x0.85mm
SDIN4C2-8G
8Gx 8
FBGA169
16x12x0.85mm
SDIN3C2-2G
2Gx 8
FBGA169
16x12x0.85mm
SDIN3C2-4G
4Gx 8
FBGA169
16x12x0.85mm
SDIN3C2-8G
8Gx 8
FBGA169
16x12x0.85mm

3、KLM2G1DEDD-A101(三星,SAMSUNG,16x12x0.85mm, pitch=0.5mm)

Density
Part number
Org
PKG
PKG size
MMC ver
Status
1GB
KMAFG0000A-S998
x8
153FBGA
11.5x13
MMC4.2
MP
2GB
KLM2G1DEFD-A301
x8
169FBGA
12x16
MMC4.3
MP
4GB
KLM4G2DEFD-A301
x8
169FBGA
12x16
MMC4.3
MP
4GB
KLM4G1DEHM-B101
x8
169FBGA
14x18
MMC4.3
CS
8GB
KLM8G4DEFD-A301
x8
169FBGA
12x16
MMC4.3
MP
8GB
KLM8G2DEHM-B101
x8
169FBGA
14x18
MMC4.3
CS
16GB
KLMAG8DEFD-A301
x8
169FBGA
12x16
MMC4.3
MP
16GB
KLMAG4EEHM-B101
x8
169FBGA
14x18
MMC4.3
CS
32GB
KLMBG8EEHM-B101
x8
169FBGA
14x18
MMC4.3
CS


相关术语:
1
、MoviNAND:
MoviNAND
是三星公司开发的一款符合eMMC标准的内嵌式存储器(MoviNAND = High-density MLC NAND Flash & MMC controller);是一种高容量NAND快闪记忆体解决方案;这种高密度嵌入式闪存卡采用了先进的30nm工艺,适用于高端手机和其他移动消费电子设备。MoviNAND已被世界半导体标准机构(JEDEC)和多媒体卡协会(MMCA)列入产品标准方案(eMMC);

2
、eMMC:
eMMC
为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格,主要是针对手机产品为主;eMMC结构由一个嵌入式存储解决方案组成,带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA封装。接口速度高达每秒52MB,eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v或者是3.3v。eMMC内嵌式存储器,三星公司叫“MoviNAND”,而Sandisk的才叫iNAND  但原理都是一样的都是采用MMC接口,都是按eMMC的标准的,只是每个厂家的叫法不一样;

3
、MLC:
NAND
闪存可分为三大架构,分别是单层式储存(Single Level Cell),即SLC;多层式储存(Multi Level Cell),即MLC;多位式存储(Multi Bit Cell),即MBC。MLC实现了一个Cell存放多个bit,是英特尔(INTEL)在1997年9月最先研发成功的,现在常见的MLC架构闪存每Cell可存放2bit,容量是同等SLC架构芯片的2倍,目前三星、东芝、海力士(Hynix)、IMFT(英特尔与美光合资公司)、瑞萨(Renesas)都是此技术的使用者,其发展速度远快于SLC架构。






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