这几天迷上MOS管了，花了300多块钱买了些拆机的场效应管。为什么呢？听我慢慢道来。 多年前刚知道MOS管的时候，就觉得不错。大多数时候比三极管好驱动，而且导通损耗也小。我养成了一个习惯，总是把亲眼见到的大功率MOS管的datasheet下载下来看参数。MOS管的技术已经很牛了，低压MOS的导通电阻相当小，找到30V耐压，导通电阻20毫欧以下的MOS相当容易。几年前我就买了一堆拆机的低压大电流MOS。（虽然用的不多） 可是高压MOS（比如耐压600V），实在是不怎么样。大电流下损耗并不比三极管小。两三年来我也没见到或听到过让我高呼 “卧.槽” 的高压MOS。耐压超过75V的MOS导通电阻(发热)在大电流下（比如10A）还是难以接受。甚至我从2000W的服务器电源里拆的高压MOS，它的导通电阻还是不能以毫欧计算。
直到最近，通过偶然和必然的一些因素，我才知道原来MOS（尤其是高压MOS）的技术已经比我想象的先进好多了。废话少说，先拆：
第一款：低压MOS，耐压70V多，电流200A多，电阻2毫欧多。好的，故意拆个开开眼。
这个是小封装的。
用火烧。
烧焦了就好拆了。
用钳子弄碎封装。
栅极掉下来了。
第一印象：真厉害！ 3根“金线”。 其实是铝线，白色的，也不能上锡，肯定是铝的。
核心面积大的出奇，已经大到这种小封装的极限了！
3根粗壮的铝线连接源极和核心。 我以前从来没见过哪个场效应管或者三极管用这么粗这么多的金属线连接核心！
200A以上的电流，果然用料不一样啊！
核心和铜基板是焊锡焊接的，类似CPU的封装。似乎叫钎焊吧。
核心长6mm多（比STC单片机核心都大）。
宽5mm左右。
铜基板。
注意漏极的引脚根部不居中。因为要给巨大的源极留位置来焊接那3根铝线。
核心厚度很小。
第二款：耐压300V，电流80A多，电阻40毫欧多。 这已经秒杀做ZVS常用的IRFP250了。它才200V，30A，75毫欧（最大值）。
大封装的。这次主要买的是大封装的MOS。我觉得散热好，另外引脚也粗。
由于这个收到货就是坏的，所以也拆。
[ 此帖被金向维在2018-01-11 20:41重新编辑 ]
