上次做的电子负载是非恒流状态的，专家们都很不屑啊，没办法先设计个恒流的吧
对低压mos不太熟悉，不知哪个型号可以胜任，且在仿真软件里还有相应型号，先用晶体管吧
要想大电流恒流，一个晶体管肯定不够用的，这也是mos管做这个的优势所在了
最差的方案，npn达林顿的模式
模拟锂电池电压，4.2v可以稳定在1A电流
4v时，电流已经有所下降
3.2v时，只有额定值一半的电流了
第二个方案，pnp的达林顿模式
4.2v时，恒流1A，显示996ma，这是运放的失调电压引起的，
我这里可变电阻都是以5%步幅调节的，就没调到准确1A，这个没影响
3.3v时，恒流还可以保持不变
3.2v时，恒流有了下降的趋势，这个达林顿模式要明显好于上一个
第三个方案，互补的双管模式
4.2v，恒流在1A，注意这里三个方案中功耗主要集中在第二个晶体管上
而不是电阻了，第二个晶体管起码用中等功率的，加散热片才行
3.2v恒流值还是稳定的
2.9v时，恒流值开始有下降的趋势，所以第三个方案才是最佳方案
还有个问题是运放358能不能在这么低的电压下工作，文件中它的最低工作电压是3v
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