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[综合]来说说INTEL和镁光的3D颗粒 [复制链接]

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离线zhgao
 

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只看楼主 倒序阅读 我要置顶 楼主  发表于: 2018-10-30
今天用群联的固件工具搞定了一个PS3111的盘。
最开始这个盘用flash_id检测是TLC 384Gb/Die,B0KB颗粒,而且是4CE,但金胜维只开了120G,坏块也不多,很奇怪的就锁死了。碰巧的是3111的intel B0KB固件到现在都没有出来,这样子只能用其他版本固件先试一下了。
先后尝试了MICRON B0KB和INTEL 3DV2(后面再说这个)颗粒,都是刷死不认盘只能短接。最后用MICRON 3DMLC的固件刷完,成功了。全盘跑了一遍可以确认是MLC开启了SLC Cache的速度,检测也变成了MLC 256Gb/Die
IM这两家连体婴儿的闪存是真的水深
镁光的2D TLC B95A,性能和其他家的2D TLC差不多,容量也是正常的2的倍数。
但是到了3D,颗粒首先分成了好多种,ID特别复杂,有一些不同ID的闪存实际上又是一样的。
首先L06B的颗粒,这个经常贴在2246EN和2246XT上的,写入速度跟L95,L85的IM尿性一样慢,甚至更慢,不仅要多通道,还要多个CE开启interleave才能跟老制程的东芝DDR MLC相比。
具体L06B跟B0KB的关系,到现在也没人出来说清楚,已知的就是B0KB的单片大小都是3的倍数,这种B0KB几乎一定能按照L06B的MLC容量开出来,但是反过来不行。B0KB也是特别慢,2258xt目前出来的固件能直接掉到20M以内的写入速度,甚至跟通道数没什么关系,2个通道20M不到,别家的应该都至少在40M左右。
所谓的3DV2,应该指的是B05A,B06A,B15A B16A之类的颗粒,这些颗粒的容量又恢复了正常的倍数,而且掉速比B0KB要好很多。
总体来说碰到B0KB的东西基本可以考虑换了,垃圾中的战斗机L06B还是可以用的
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离线ybjun

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