也谈SLC，MLC，TLC的寿命和其它参数 [复制链接]

看到关于SLC，MLC，TLC的寿命的讨论，查找了一些资料(多数资料都基于Hynix NAND，但其它公司的应该也是类似的)，也来谈谈情况。

1. 参考1 Understanding TLC NAND，链接 http://www.anandtech.com/show/5067/understanding-tlc-nand/2
2. 参考2 1家以色列公司Anobit [已经被苹果以约4亿美元收购]，链接 http://www.storagesearch.com/anobit.html
3. 参考3 A High Performance Co-design of 26 nm 64 Gb MLC NAND Flash Memory，链接 www.jsts.org/html/journal/journal_files/.../Year2011Volume11_02_07.pdf

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SLC，MLC，TLC的寿命随着工艺的改进、缩小，P/E次数是下降的：

	5Xnm	3Xnm	2Xnm
SLC	100,000	100,000	N/A
MLC	10,000	5,000	3,000
TLC	2,500	1,250	750

QLC的寿命没查到，但显然会比TLC更差。参考3的资料也印证了，26nm 64Gb MLC的寿命也是3k次，另外数据保持时间(data retention)只有1年－当然这个1年的数据保持时间可能指被擦除3k次后。

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控制器对提高NAND寿命，有很大作用。Anobit提到，对于2xnm MLC，使用它专利的存储技术可以把MLC从3000次写入寿命，提高到5万次(using 2xnm MLC NAND.Anobit says its patented Memory Signal Processing technology elevates MLC endurance from 3,000 write cycles to over 50,000.)。

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小文件的读写速度，TLC、MLC、SLC一个比一个慢，读速度逐级减半，写速度下降更多：

	SLC	MLC	TLC
随机读	25 µs	50 µs	100 µs
写(编程)	250 µs	900 µs	?

More... http://bbs.mydigit.cn/link.php?action=tag&tagname=%CA%D9%C3%FC

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