据韩国媒体报导，海力士(Hynix)于6月3日发表已成功开发出世界第1颗以X3(3 bit Per Cell)技术制作的32Gb NAND Flash。
所谓X3技术，是指单一存储器储存单元可以存放3位元的资料，单一存储器储存单元内存放的位元数愈多，生产成本便能进一步下降。
此次以X3技术制成的32Gb NAND Flash，比相同容量MLC型NAND Flash面积减少30%以上，这也代表在相同尺寸晶圆上，采用X3技术制成的芯片数，将比MLC技术制成的芯片数多30%，成本与容量优势明显可见。
海力士现阶段已采用X3技术、48奈米制程量产16Gb NAND Flash，未来将在2008年10月以X3技术、48奈米制程量产32Gb NAND Flash。
相关人士表示，海力士以MSP(Memory Signal Processing)技术解决了X3技术开发的最大瓶颈，不但连MLC型NAND Flash的性能与稳定度一起获得提升，生产成本也大幅下降，进一步强化了海力士市场竞争力，未来也会采用MSP技术克服X4(4bit per cell)技术在制程细微化的限界，预估全年位元产出成长率(bit growth)将可持续成长。
另外值得一提的，此次开发成功的产品，是海力士遵循ONFI(Open NAND Flash Interface)制定的标准，所开发出来的BA(Block Abstracted)NAND Flash。
