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[其他]建行华大u盾拆解及改万年历可行性分析 [复制链接]

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只看楼主 倒序阅读 我要置顶 楼主  发表于: 2014-08-26
二话不说,先上图





















25Q80BSIG这个是flash芯片 SPI的



8M-bit Serial Flash-1024K-byte
产品特点:
1.单电压供电
3V产品供电电压范围:2.7V~3.6V
1.8V产品供电电压范围:1.62V~1.98V
2.四输入/输出口(Quad I/O) 通过四输入/输出口功能可以使传输速率有效的提高至最
大480Mbps 数据保持时间20年 擦写次数可达10万次 工作温度范围 -40℃~+85℃
找到的引脚图




引脚定义




IS8U192A的资料


华大信科官网上的资料:


IS8U192A:高性能终端安全芯片(SSX1104-A)
采用HC-8051 8bit CPU,可连接按键、LCD、Flash、LED、触摸屏、指纹屏等外设,具有执行速度快、支持高级语言和实时多任务执行等重要性能,可以满足COS及应用软件的多种安全需求,该芯片可应用于PKI体系的USBKey等设备中。

主要功能
l 片上数字签名、密钥协商及身份认证(支持SM2和RSA算法)
l 高速率数据加解密(SSF33、SM1、SM4和DES算法)
l 高速率数据压缩算法(SHA1、SHA256、SM3算法)
l 片上随机数生成(随机数产生速率达到1Mbps)

内部结构





关键特性
处理器性能
n 采用HC-8051 8 bit CPU
8位精简指令集(RISC)架构;
支持6种寻址方式;
16Bit的定时器(Timer);
n 可通过软件配置时钟系统
CPU和算法协处理器可分别配置;
USB 工作模式: 12MHz、24MHz或48MHz;
n 真随机数发生器:符合国际FIPS-140-2随机数测试标准;
n 硬件CRC模块
遵循ISO/IEC 13239协议;
支持CRC初值可任意配置;
片上存储器单元
n 4KB SRAM:支持地址和数据的加扰模式;
n 1KB PKU RAM:可复用为SRAM;
n 192KB FLASH(160KB FLASH0 + 32KB FLASH1)
FLASH0的Page大小为512Byte,FLASH1的Page大小为64Byte;
Byte编程时间:20us;
Page擦时间:2ms;
FLASH擦写次数大于10万次;数据保持时间大于10年;
n 5KB ROM:用于存放芯片启动、引导下载程序及芯片基本测试;
安全组件
n 硬件防火墙机制,提供两种操作模式(SUM和MUM);
n 优化的ECC处理器,支持160、192、224、256位长的SM2算法;
n 优化的1024和2048位RSA算法;
n 优化的HASH处理器,支持SHA_1、SHA_256算法;
n 支持DES/TDES算法;
n 支持SM1算法;
n 支持SSF33算法;
n 防DPA、SPA分析;
n 真随机数发生器:符合国际FIPS-140-2随机数测试标准;
n 安全传感器探测保护单元
    高低电压检测, 保护正常工作电压范围  2.15V~6.2V;
    高低频率检测, 保护正常工作频率范围  600KHz~16MHz;
n  存储器加密机制:
RAM地址和数据加密;
Flash地址和数据加密,支持同时保护算法库和COS;
n 唯一芯片序列号;
通信接口
n USB接口:
支持 USB2.0 协议低速和全速工作模式;
支持五个端点,包括一个双向控制端点、两个 Bulk/Interrupt 输入端点和两个Bulk/Interrupt 输出端点;
支持双Buffer功能;
支持两种外部输入时钟,且输入时钟频率可选,可选值为6MHz或12MHz;
n SPI通讯接口:管脚与GPIO管脚复用,支持SPI主/从两种模式;
n GPIO接口:12路双向GPIO,支持连接按键、LCD、Flash、LED等外设;
开发环境

n 集成开发环境,界面友好n 可使用汇编和C语言混合编程
n 提供丰富C函数库、开发例程n 提供硬件开发板




由资料上可以看出该芯片是8051内核的

有一个C的程序,不过没测试




如果该单片机能用的话,离做万年历更近了一步,下面就是屏了

从FPCB上可以明确的看出,是19264的屏(屏号:FGC19264B-001038)
16引脚,但是引脚定义未知
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