颗粒是SLC，查了VCCQ标准是1.70到1.95。手上这板的VCCQ静态是1.805V，用起来较为怪异，其它通电时间永久为0、有意测试的文件跑10圈都没坏，不是测试的却无故损坏文件这不说，还有其它异常：首先是快速格式化，需要十几秒这明显不对（还试过一次格式化直接卡死），但用AS SSD Benchmark测速又是很快的。其次是AS SSD Benchmark测速的读出响应速度达到0.14ms。在SLC这很不应该。换主控真的不想，尝试搞小折腾，先换VCCQ。这板的1.8V是线性LDO从3.3V转换出来的，3.3V VCCQ则是DC/DC出来，直接上3.3V不太敢，于是换上另一板上的空载1.865V的LDO，换上之后在线测静态1.810V。这下再去格式化，只需要两三秒，AS SSD Benchmark测试响应时间是0.08ms，这和我以往在别的板上测的相符。原先的1.80V在动态擦写时候有无低于1.7这没去测试，我测试10mA负载是有1.78V的，按道理不至于低于1.7（VCCQ静态吸收电流我只测试了3.3V下是3.4mA，动态不知）。真的VCCQ影响性能？等无聊了我再去试一下3.3V的看看。
