不太懂，转来给大家看看
根据结构不同，NAND有两类：大页的NAND和小页的NAND。每种NAND的一页中都有数据段和附加段，大页的NAND中数据段=2048B、附加段=64B；小页的NAND中数据段=512B、附加段=16B。
大页的NAND是：One page = 512B + 16B, One block = 32page
小页的NAND是：One page = 2048B + 64B, One block = 64page or 128page
一块中的所有页可以不按顺序烧写。
对于烧写(Program)大页的NAND有这样的要求：在一页中，数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次，附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次。
对于烧写(Program)小页的NAND有相似的要求：在一页中，数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过两次，附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过三次。
上面所说的编程过程定义如下：
80H--地址--数据写入--10H-- 内部烧写操作 --70H--读出状态
