[卡类]samsung 部分eMMC不适合做u盘, 另找到修复掉速的方法! [复制链接]

            上一个帖子对比了几种eMMC的写曲线, 觉得不能根据锯齿形波形来判断MLC  TLC
对比贴


            这里天始终觉得eMMC 振荡的写曲线一定有原因, 而且samsung 贴在NS1081上,写满掉速,一直想着怎么修复!
那么振荡波形,会不会是因为,每次写请求, eMMC control 发现没有可用的擦除块,而需要做erase动作导致写速度下降,
因为一般的eMMC 一个擦除动作会erase 512K, 那个接下来的写,就有了可用的已擦除块,所以速度上升,所以反复循环,
导致了振荡波形?


         试验一下 KLMAG2WE4A-A001  samsung的16G  TLC eMMC .
空片写入:  曲线平坦, 写入速度远超过,datasheet标注的写入速度


        




写满后测试: 开始大幅振荡,写入速度和datasheet标注的写入速度接近


      

看来猜测的基本上差不多, 接下来再测试一下

SEC_KMQ7X000SA samung 8G TLC ,

写满后 :  好乱

  

执行erase 后:  变得好看, 写入速度超过datasheet标注的写入速度




那么问题来了, NS1081 写满掉速的eMMC 可以恢复吗?
上图:
掉速:   KLMAG2GEND-B031  samsung 16G MLC 掉成渣



erase之后: 恢复如初



上面测试的都是samsung eMMC , eMCP  eMMC V4.41 V5.0都有.

是不是samsung的 control 算法有问题?  测试一下别家的.

Kingston KE4BT4B6A 16G MLC eMMC:

空片时:




写满后:




居然差不多,居然差不多,居然差不多,
难道只有samsung的eMMC有这个问题?


上网搜索发现,很多手机也出现过eMMC掉速,看来不是个案.


估计samsung eMMC  control 为了提高写入速度, 当出现写入请求时会优先将bitmap中的物理擦除块 map到 逻辑块中,
如果bitmap中没有可用的擦除块 ,那么就会先做erase动作.
上面的测试图也反映出,如果是erase后的空片,写入速度远远超过手册标准的速度.


so, 不要想着用samung eMMC做u盘了, 换别家的吧. 已经掉速的,执行一下erase cmd, 就能恢复.(测试样本不足,仅个人观点)






修复之后

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