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离线animefans_xj
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只看楼主 倒序阅读 我要置顶 楼主  发表于: 2018-04-04
3D NAND相比传统的平面闪存具备更多的擦写寿命相信大家都知道，这是因为3D NAND的制程和结构使然。

但是LZ一直有一个问题，那就是既然制程大了，结构改良了，寿命增强了，那么按理说3D-NAND应该即使配备与平面闪存相同的纠错技术，其寿命也能超出平面闪存才是，但是事实上现在支持3D NAND的主控基本都配备了LDPC纠错技术，并且在LDPC纠错技术的加持下，3D TLC(除去三棒的黑科技不算)的寿命也仅仅是1K-3K P/E。这实在是令人困惑

前几天又翻到某篇文章中有这样一段

3D闪存在垂直方向上不同层面的存储单元体质差异性较大，有可能出现部分区域一个错误没有，另外一个区域却出错爆表的情况，传统的BCH纠错算法难以Hold住这种情形。在BCH发展晚期，纠错能力已经提升到120bit/2KB水平，但依旧不能良好支持3D闪存。


另一篇文章里也提到了3D NAND的出错率

如果真照这篇文章所写的，那岂不是很糟糕，一部分区块出现爆表的错误，如果采用和平面NAND相同的纠错技术的话，这块NAND就是出现了大量不可纠正的坏块，也就是被判死刑了(即使还有几倍于坏区块的比传统平面NAND更优良的好区块)，难道3D NAND的整体寿命仅仅是靠LDPC堆砌的？


还是说这个出错率并非内部电荷出现了问题，只是一般的读取出错较平面的更频繁而已？
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离线xxhjack
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只看该作者 1楼 发表于: 2018-04-04
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离线大概没人注册
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离线苏州熊猫
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离线wulishui
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离线hahaboy_007
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發騷友 专家 +1 歡迎探討 2018-04-08
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