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[其他]讨论一下3D NAND的问题 [复制链接]

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离线animefans_xj
 

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只看楼主 倒序阅读 我要置顶 楼主  发表于: 2018-04-04
3D NAND相比传统的平面闪存具备更多的擦写寿命相信大家都知道,这是因为3D NAND的制程和结构使然。

但是LZ一直有一个问题,那就是既然制程大了,结构改良了,寿命增强了,那么按理说3D-NAND应该即使配备与平面闪存相同的纠错技术,其寿命也能超出平面闪存才是,但是事实上现在支持3D NAND的主控基本都配备了LDPC纠错技术,并且在LDPC纠错技术的加持下,3D TLC(除去三棒的黑科技不算)的寿命也仅仅是1K-3K P/E。这实在是令人困惑

前几天又翻到某篇文章中有这样一段

3D闪存在垂直方向上不同层面的存储单元体质差异性较大,有可能出现部分区域一个错误没有,另外一个区域却出错爆表的情况,传统的BCH纠错算法难以Hold住这种情形。在BCH发展晚期,纠错能力已经提升到120bit/2KB水平,但依旧不能良好支持3D闪存。


另一篇文章里也提到了3D NAND的出错率

如果真照这篇文章所写的,那岂不是很糟糕,一部分区块出现爆表的错误,如果采用和平面NAND相同的纠错技术的话,这块NAND就是出现了大量不可纠正的坏块,也就是被判死刑了(即使还有几倍于坏区块的比传统平面NAND更优良的好区块),难道3D NAND的整体寿命仅仅是靠LDPC堆砌的?


还是说这个出错率并非内部电荷出现了问题,只是一般的读取出错较平面的更频繁而已?


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离线xxhjack

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只看该作者 1楼 发表于: 2018-04-04
平面tlc只有500-1000啊!!!不配纠错都在1000以下的...............现在的纠错技术没必要担心这个。

楼主留言:

是的,但是平面的是在BCH配合下的寿命,而3D的则是在LDPC配合下的寿命

离线fryouai

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只看该作者 2楼 发表于: 2018-04-04
没等用到寿命,你的电脑就已经坏了

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只看该作者 3楼 发表于: 2018-04-04
3D NAND就是你说的那样,靠LDPC才有这样的寿命水平。
NAND寿命取决于浮栅保存电子的能力,相同的保存电子能力的浮栅工艺,面积和厚度越小,存储电荷能力越差。但是显然3D NAND浮栅存储电荷能力不是很好,同时,bit间的相互干扰3D也比平面高。
离线苏州熊猫

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只看该作者 4楼 发表于: 2018-04-04
3D寿命高?那是针对同样TLC比较的吧。

平面TLC寿命太低,改用3D制程寿命高一些了,但是跟MLC比寿命还是低很多。

还有就是3D制程后,有模拟SLC之类的技术。
手机号码已经18年没换,要求换手机号码就是盗号的。
离线wulishui

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只看该作者 5楼 发表于: 2018-04-04
三星的黑科技据说可以达到3万5,比MLC还好。大多数大牌坏盘并不是闪存颗粒写挂了,而是主控或板子热挂了。配JMF60X这些早期小厂产品,配的还是高制程正片MLC,挂的才是闪存颗粒。所有闪存颗粒不是唯一重要,重要的还有谁用它,怎么用它。
离线hahaboy_007

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只看该作者 6楼 发表于: 2018-04-04
非常好的反思!工艺、纠错、寿命不是问题,最大的问题还是如何实现写入读取电压的微调范围,比如3bit就得用2的3次方=8种不同的电压区间去表达,我曾经有个帖子来类比黑白二维码引入黑白灰+中灰+深灰、、、二维码所承载的信息量如同闪存工艺变化一样,当然灰级越多误码率越大,闪存的电压级越多误码率也是越大的!

综上所述,所有的根源在于我们记录的方式有问题,如果几百年后返观现代技术相当于结绳记事——总想用二维的东西去表达数据,电压由高到低,中间只经历多少级电压变化,难以掌控;黑和白,中间经历多少灰度变化,也是难以掌控。难以掌控就需要引入ECC校验、LDPC校验越接近香农,算法越好!

这就是我为什么豁然开朗量子通信为啥是划时代的东西,量子变量有上百种态,如果0跟1就是二维那么量子就是百维,就好比黑白灰二维码去吃力记录包罗万象的数据,你的激光头在不断调整精度去读取写入那个“灰度”,外加吃力地校验,突然间来了一个多维的“彩色码”去轻易代替黑白灰二维码,而且还不费力!正因为我们用二维数字记录所以1张高清照片10多M,如果用量子多维传输和存储一张高清照片也许只需要10几个字节就够了,比超级压缩还压缩!
[ 此帖被hahaboy_007在2018-04-09 02:02重新编辑 ]
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發騷友 专家 +1 歡迎探討 2018-04-08