[其他]讨论一下3D NAND的问题 [复制链接]

3D NAND相比传统的平面闪存具备更多的擦写寿命相信大家都知道，这是因为3D NAND的制程和结构使然。

但是LZ一直有一个问题，那就是既然制程大了，结构改良了，寿命增强了，那么按理说3D-NAND应该即使配备与平面闪存相同的纠错技术，其寿命也能超出平面闪存才是，但是事实上现在支持3D NAND的主控基本都配备了LDPC纠错技术，并且在LDPC纠错技术的加持下，3D TLC(除去三棒的黑科技不算)的寿命也仅仅是1K-3K P/E。这实在是令人困惑

前几天又翻到某篇文章中有这样一段

3D闪存在垂直方向上不同层面的存储单元体质差异性较大，有可能出现部分区域一个错误没有，另外一个区域却出错爆表的情况，传统的BCH纠错算法难以Hold住这种情形。在BCH发展晚期，纠错能力已经提升到120bit/2KB水平，但依旧不能良好支持3D闪存。

另一篇文章里也提到了3D NAND的出错率

如果真照这篇文章所写的，那岂不是很糟糕，一部分区块出现爆表的错误，如果采用和平面NAND相同的纠错技术的话，这块NAND就是出现了大量不可纠正的坏块，也就是被判死刑了(即使还有几倍于坏区块的比传统平面NAND更优良的好区块)，难道3D NAND的整体寿命仅仅是靠LDPC堆砌的？


还是说这个出错率并非内部电荷出现了问题，只是一般的读取出错较平面的更频繁而已？

平面tlc只有500-1000啊！！！不配纠错都在1000以下的...............现在的纠错技术没必要担心这个。

没等用到寿命，你的电脑就已经坏了

3D NAND就是你说的那样，靠LDPC才有这样的寿命水平。
NAND寿命取决于浮栅保存电子的能力，相同的保存电子能力的浮栅工艺，面积和厚度越小，存储电荷能力越差。但是显然3D NAND浮栅存储电荷能力不是很好，同时，bit间的相互干扰3D也比平面高。

3D寿命高？那是针对同样TLC比较的吧。

平面TLC寿命太低，改用3D制程寿命高一些了，但是跟MLC比寿命还是低很多。

还有就是3D制程后，有模拟SLC之类的技术。

三星的黑科技据说可以达到3万5，比MLC还好。大多数大牌坏盘并不是闪存颗粒写挂了，而是主控或板子热挂了。配JMF60X这些早期小厂产品，配的还是高制程正片MLC，挂的才是闪存颗粒。所有闪存颗粒不是唯一重要，重要的还有谁用它，怎么用它。

非常好的反思！工艺、纠错、寿命不是问题，最大的问题还是如何实现写入读取电压的微调范围，比如3bit就得用2的3次方=8种不同的电压区间去表达，我曾经有个帖子来类比黑白二维码引入黑白灰+中灰+深灰、、、二维码所承载的信息量如同闪存工艺变化一样，当然灰级越多误码率越大，闪存的电压级越多误码率也是越大的！

综上所述，所有的根源在于我们记录的方式有问题，如果几百年后返观现代技术相当于结绳记事——总想用二维的东西去表达数据，电压由高到低，中间只经历多少级电压变化，难以掌控；黑和白，中间经历多少灰度变化，也是难以掌控。难以掌控就需要引入ECC校验、LDPC校验越接近香农，算法越好！

这就是我为什么豁然开朗量子通信为啥是划时代的东西，量子变量有上百种态，如果0跟1就是二维那么量子就是百维，就好比黑白灰二维码去吃力记录包罗万象的数据，你的激光头在不断调整精度去读取写入那个“灰度”，外加吃力地校验，突然间来了一个多维的“彩色码”去轻易代替黑白灰二维码，而且还不费力！正因为我们用二维数字记录所以1张高清照片10多M，如果用量子多维传输和存储一张高清照片也许只需要10几个字节就够了，比超级压缩还压缩！