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[学堂]从闪存芯片编号识容量(献给新手) [复制链接]

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离线lovetanjie
 
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只看楼主 倒序阅读 我要置顶 楼主  发表于: 2009-10-17
— 本帖被 mydigit 从 MyDigit学堂 移动到本区(2013-05-20) —
根据芯片编号识容量

三星的闪存芯片均以K9打头,与容量相关的字段是从第4位到第7位。第4~5位表示闪存密度,12代

表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表

1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。第6~7位表示闪存结构,00代表没有、08代表×8.

16代表×16. 32代表×32。

  闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8

  通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了

编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。这块闪存芯片的规格为:128M×8bit、50ns速度,单颗容

量 128MB。工作电压2.4~2.9V。

芯片编号K9F5608U0A,32M×8bit规格50ns速度,单颗容量32MB。工作电压2.7~3.6V,内部分成块写区

域 大小(16K+512)。

三星型号详解

K9×××××:Nand Flash

K8×××××:Nor Flash

K7×××××:Sync SRAM(同步SRAM,带clock,速度快,网络产品,6个晶体管)

K6×××××:Aync SRAM(异步SRAM,不带clock,速度快,手机产品,6个晶体管)

K5×××××:MCP(相当于K1+K8+K9)

K4×××××:DRAM

K3×××××:Mask Rom

K2×××××:FRAM

K1×××××:utRAM(使用SRAM技术,但只有2个晶体管跟1个电容,所以比SRAM功耗大,但成本低)

samsung 编号:K9LAG08U0M,容量为2G,以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存,使用MLC闪存是大势

所趋

* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)

* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)

* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)

* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)

* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)

* (1 Byte = 8 bits)

SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MB

K9F2808U0C-VCB0 32MB

K9F5608U0B-YCB0 16MB

K9F5608U0C-YCB0 16MB

K9F1208U0M-YCB0 64MB

K9F1208U0A-YCB0 64MB

K9F1208U0A-YIB0 64MB

K9F1208U0A-VCB0 64MB

K9K1G08U0A-YCB0 128MB

K9K1G08U0M-YCB0 128MB

K9K1G08U0M-VIB0 128MB

K9F1G08U0M-YCB0 128MB

K9F1G08U0A-YCB0 128MB

K9F1G08U0M-VCB0 128MB

K9F1G08U0M-VIB0 128MB

K9F1G08U0M-FIB0 128MB

K9K2G08U0M-YCB0 256MB

K9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MB

K9K2G08U0M-VCB0 256MB

K9K2G08U0M-VIB0 256MB

K9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MB

K9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MB

K9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MB

K9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MB

K9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MB

K9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GB

K9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GB

K9WAG08U1M 2GM

NAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片.

SAMSUNG闪存的型号及对应容量:

K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)

K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)

K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)

K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)

(1 Byte = 8 bits)

Hynix闪存的型号及对应容量:

HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)

HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)

HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)

HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)

(1 Byte = 8 bits)

Part No Description Mfg

NANDFLASH

HY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIX

HY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIX

HY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIX

HY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIX

HY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIX

HY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIX

HY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX

HY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX

HY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX

HY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIX

HY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIX

Hynix闪存的型号及对应容量:

HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte);

HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte);

HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte);

HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)

ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表

品牌     型号     内存  ATJ2085(2051)

samsung  K9K4G08U0M  512M  y

samsung  K9W4G08U1M  512M  y

samsung  K9W8G08U1M  1GB  y

samsung  K9F4G08U0M  512M  y

samsung  K9F4G08U0A  512M  y

samsung  K9K8G08U0M  1G  y

samsung  K9K8G08U0A  1G  n

samsung  K9WAG08U1M  2G  y

samsung  K9G4G08U0M  512M  n

samsung  K9L8G08U0M  1G  n

samsung  K9HAG08U1M  2G  n

Hynix  HY27UG084G1M  512M  y

Hynix  HY27UG084G2M  512M  y

Hynix  HY27UH084G1M  512M  n

Hynix  HY27UH084G2M  512M  y

Hynix  HY27UG088G2M  1G  y

Hynix  HY27UG088G5M  1G  n

Hynix  HY27UG088GDM  1G  n

Hynix  HY27UH088G2M  1G  y

Hynix  HY27UH088GDM  1G  n

Hynix  HY27UH08AG5M  2G  n

Hynix  HY27UH08AGDM  2G  n

Hynix  HY27UF084G2M  512M  y

Hynix  HY27UG088G5M  1GB  n

Hynix  HY27UU088G5M  1G  n

Hynix  HY27UV08AG5M  2G  n

Hynix  HY27UT084G2A,  512M  n

Hynix  HY27UT084G2M  512M  n

Hynix  HY27UU088G  1GB  n

Hynix  HY27UU8G5M(MLC)  1GB  n

Hynix  HY27UT4G2M(MLC)  512M  n

Hynix  HY27UVAG5M(MLC)  2GB  n

Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB

HY27US08561M TPIB 427A 32MB

HY27US08121M TCB 64MB

HY27US08121M TPIB 407T 64MB

HY27US08121M TCB 416A 64MB

HY27US08121M TCB 422A 64MB

HY27US08121M TCB 426A 64MB

HY27US08121M TPCB 427B 64MB

HY27US08121M VPCB 429A 64MB

HY27UA081G1M TCB 128MB

HY27UA081G1M TPCB 128MB

HY27UA081G1M TCB 423A 128MB

HY27UG082G2M 256MB

HY27UH084G2M 512MB

HY27UG088G5M 1GB

HY27UH088G2M 1GB

HY27UH08AG5M 2GB

TOSHIBA TC58128AFT 16MB

TC58128AFTI 16MB

TC58DVM72A1FT00/05 16MB

TC58256AFT 32MB

TC58NVM8S0AFTI0 32MB

TC58DVM82A1FT00/05 32MB

TC58DVM82A1FTI0 32MB

TC58512FT 64MB

TC58DVM92A1FT00/05 64MB

TH58100FT 128MB

TC58DVG02A1FT00/05 128MB

TC58NVG0S3AFT00/05 128MB

TC58NVG0S3AFTI5 128MB

TH58NVG1S3AFT00/05 256MB

TH58NVG1S3AFTI0 256MB

TC58NVG1S3BFT00 256MB

TC58005FT 64MB

TC58DVM94B1FT00/05 64MB

TC58010FT 128MB

TC58DVG04B1FT00/05 128MB

TC58DVG14B1FT00/05 256MB

TC58DVG14B1FTI0 256MB

TH58DVG24B1FT00/05 512MB

TC58NVG1D4BFT00 256MB

TC58NVG1D4BFT00 256MB

TC58NVG2D4BFT00 512MB

TH58NVG3D4BFT00 1GB

TH58NVG3D4BFTI0 1GB

TC58NVG3D4CTG10 1GB

TH58NVG4D4BTG20 2GB

SANDISK SDTNFAH-128, SDTNGAHE0-128 16M

SDTNFAH-256, SDTNGAHE0-256 32M

SDTNFAH-512, SDTNGAHE0-512 64M

SDTNFCH-512, SDTNGCHE0-512 64M

SDTNFBH-1024, SDTNGBHE0-1024 128M

SDTNFCH-1024, SDTNGCHE0-1024 128M

SDTNFDH-2048, SDTNGDHE0-2048 256M

Micron MT29F2G08A 256MB

MT29F4G08B 256MB

MT29F4G08BAB 512M

MT29F8G08FAB 1G
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