大家都知道，stc单片机的adc（模数转换器）的基准是基于基于供电电源电压的，这样就造成了一个问题，如果供电电压发生变化，adc读得的值也会发生变化，就出现了测不准的现象，所以大家普遍的用法就是在adc的一个通道外接一个电压基准，类似tl431，通过读电压基准和测量值，换算出真实测量电压，但这样就会带来个问题，要占用一路adc通道，占用一个io，付出tl431的成本，外接还要处理电路，麻烦。所以stc15系列的单片机给我们提供了内部的基准，名字叫BandGap(内部带隙电压基准)。
这两天要搞adc的应用，想到stc内部有基准，于是研读了数据手册，然而数据手册说的很不清楚，内容还分布在不同的地方，于是就搜索了下。但是在百度上的有用搜索结果很少，有一个本坛的帖子，点进去看了大部分人也是没搞懂
甚至大家都不太懂stc还有第九通道
还有人继续提tl431外部基准法
之前也看到有坛友在抱怨内部基准是垃圾，居然会随供电电压变化，完全没用什么的。
无法只好自己研究了，经过一下午的研究，终于搞了个明白，遂分享给大家，一起学习进步。
我们先说说BandGap(带隙电压)是啥。百度给出的解释是：
看上去比较复杂，我画了张简单的图表示，不是很准确，理解就好
如图，基准有两个材料串联而成，分别为温度正材料（温度升高阻值变大）和温度负材料（温度升高阻值变小）串联而成，这样，两个材料互相抵消，基准值就不会随温度发生变化。这样做的原因是在半导体制造中，几乎找不到不随温度变化的材料，所以选用了这种折中方案。
所以，和数据手册说的是一样的，基准不随芯片工作电压改变而变化。
所以，内部基准读取后需要进行数学转换，就能成我们想用的值。
但是，官方给的例程貌似是有点问题的，串口出来的，数值不对，呵呵
而且，由于每片芯片的制造差异性，每个基准的比例不是相同的，每片芯片有特异性。
我的几片同款芯片的这个测量值都是有差异的，相差也不小。
stc给出的方案是这样的，在5v标准电源下测量BandGap的adc读数，然后记录在eeprom内，以后的程序不就可以读取这个值并进行比例换算了吗？
但是，大家有没有觉得这样会异常的麻烦，5v基准供电电压不好找，如果大量生产的话，每片都要读取校准会费时费力。
所以，stc还是蛮善良的，其实他们早就给我们标定好了这个值，我们只需要想点小办法吧它读出来就好。
数据手手册里面是这样的
这里要吐个槽，stc的数据手册编写者你真蛋疼，居然把两个内容分开讲，讲adc的第九通道，在数据手册第10.8节，第906页；讲怎么读取得标定值，在数据手册第1.18节，第284页，这是个大坑啊，跨度一个世纪的内容，呵呵了。
扯远了，这个标定值会储存在两个地方，一个是RAM(内存)末尾，一个是ROM(程序区)末尾。但是官方比较推荐的读取地点好像是使用程序储存器末尾，好像是因为ram的数据容易被覆盖。
不过用rom区的话，要注意以下三个问题：
程序储存区末尾会被占用那么十几二十个字节，不过一般小程序也不影响啥，写满程序区的就要注意下了。
同时，在使用rom区数据时，在下载时要勾选选项“在ID号前添加重要测试参数”（在下载选项末尾的一个选项，默认是不选的，要记得勾上）
第三，不同储存空间的单片机在程序中要定义不同的地址，我的是stc15w404as，选的是内部储存为4k（#define ID_ADDR_ROM 0x0ff7 //4K程序空间的MCU），这个的话应该大家读懂吧。
另外提一句，使用基准，不管内部外部，都能计算出供电电压，如果电压下降啥的，能在程序里做出反应，比如说记录数据如eeprom什么的，实现掉电保护，这个大家脑洞了
提醒大家的事，使用外部晶振的时候，读不到bandgap的adc值，这个非常重要，望周知感谢@mosliu 朋友的测试和补充，详情看这贴：STC15系列 读取BandGap的一点小小补充 另外吐槽下STC的客服|http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=1653284 好的，讲了这么多理论的废话，还不如直接上代码实践
顺便说下，使用了部分stc的例程，按人家要求说明 ： /* 如果要在文章中应用此代码,请在文章中注明使用了宏晶科技的资料及程序 */
以下就是我们今天的核心代码，基本每行都有注释，大家先看，不懂的问，我给解释，文末也会给出完整代码给大家下载
- void ShowResult(uchar ch)
- {
- uint adc_res10,//测量设定通道adc值
- bandgap, //bandgap预储存校准值，单位毫伏
- adc_9gallery_res; //测量第九通道（bandgap）值
- float power_voltage, //系统供电电压，单位毫伏
- ADC_voltage; //设定通道电压值，单位毫伏
-
- uchar code *cptr; //定义ROM(代码)区指针
- //uchar idata *iptr;//定义RAM(内存)区指针
-
- cptr = ID_ADDR_ROM; //从程序区读取BandGap电压值(单位:毫伏mV)
- bandgap=*cptr++;
- bandgap<<=8;
- bandgap+=*cptr;
- /*iptr = ID_ADDR_RAM; //从内存区读取BandGap电压值(单位:毫伏mV)，貌似不推荐
- bandgap=*iptr++; //两种方法结果一样，
- //上面的方法需要在下载式勾选"在ID号前添加重要测试参数"选项,才可在程序中获取此参数
- bandgap<<=8; //下面的这种方法不需要
- bandgap+=*iptr; */
- //测量设定通道adc值
- ADC_RES = 0; //清除结果寄存器
- P1ASF = 0xff; //设置P1口为AD口
- GetADCResult(ch); //GetADCResult(ch)函数是从adc处读结果，输入时通道号，P1.0口就是0通道，以此类推
- GetADCResult(ch); //读三次获得稳定
- adc_res10= GetADCResult(ch);
- //测量第九通道（bandgap）值
- ADC_RES = 0; //清除结果寄存器
- P1ASF = 0x00; //设置读第九通道
- GetADCResult(0); //测bandgap时，调用此函数时通道数只能填0
- GetADCResult(0); //读三次获得稳定
- adc_9gallery_res=GetADCResult(0);
- //计算系统供电电压
- power_voltage=(float)bandgap*1024/adc_9gallery_res;
- //计算ADC通道测得电压值
- ADC_voltage=(float)bandgap*adc_res10/adc_9gallery_res;
- printf("P1.%d ADC result:%d\n",(uint)ch,adc_res10);
- printf("BandGap standard:%d mV\n",bandgap);
- printf("BandGap value:%d \n",adc_9gallery_res);
- printf("system power voltage:%.0f mV\n",power_voltage);
- printf("ADC voltage:%.0f mV\n",ADC_voltage);
- }
代码完了以后，来试试实际效果
测量1.2v基准时，万用表值
单片机在5v供电下测量值
在3.3v供电下测量值
差距不算太大，能接受
图放不下了，楼下继续，大家有m币使劲砸吧
完整程序
已经在下面的二楼复制粘贴了，不要m币
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