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这个……大约1年前 ，我发了一个帖子，拆了一种内部有后备电池的NVRAM，型号M48Z58Y，详见此贴：http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=1194120
文章末尾说要再拆一个DS1230，其实发完贴不久我就拆了，只不过当时把手划伤了，顿时没了心情。最近又有朋友问这个事，索性就把当时的照片发上来给大家看看。
首先要更正原贴中不严谨的地方：
EEPROM早在1977年就被发明了出来，但是开始时它并没有被大多数仪器厂家喜欢的原因我觉得主要是：
1.早期的EEPROM读写速度太慢，现在的好些，但是写入速度慢一直是问题；
2.有写入寿命限制，而且早期的寿命更短，有些仪器要经常进行自校准，这样EEPROM的寿命就不够看了；
3.不便与一些MPU系统整合；
早期的MPU、MCU性能都比较弱，MPU控制外设需要使用系统数据和地址线，单片机不可能去等待读写速度比SRAM慢很多的EEPROM（SRAM最慢的读写速度都在200ns，EEPROM现在读取没问题了，但是写入还是ms级的时间），这样整个系统都会停下来，现在很多时候与EEPROM通信都是硬件外设完成的了，不需要占用系统资源，这样就好了很多。嗯这一段分析仅供参考。
另外，Flash是EEPROM的特殊形式（反过来说也行），他们本质原理是一样的，具体可以百度。
现在开始拆了。
首先来看看外观，嗯和M48Z58Y一样，又黑又大，这颗应该是03年产的，读写速度100ns：
扒开外皮，和M48Z58Y类似：
拆开一点点，这个比M48Z58Y难拆多了，用烙铁效果也不太好：
艰难的一点点拆开，期间把手划伤了…………这个芯片……貌似不是美信家的啊？
现在电池露出来了，测一下电压，负载10MΩ，如图：
电池特写：松下的BR1632：
差不多就这样吧，再拆就很难了，容易把电路板搞坏：
这个DS1230是美信（达拉斯半导体）将超低功耗的赛普拉斯的SRAM芯片CY62256LL-70与自家的专用控制芯片DS13D12还有松下的BR1632电池封装在一起组成的，与意法半导体的M48Z58Y是两种不同的设计理念。美信还有一种SRAM座，看起来就是个DIP插座，其实就是把控制芯片、电池和芯片座封装在一起，你自己插一个低功耗型SRAM上去就能变成BBSRAM了。
DS13D12来个特写：
整个芯片的背面：
完了。
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