根据昨天判断，是由于功率控制开关波形太陡，烙铁头绕组产生反压形成干扰，故增加延迟部分由几十纳秒，延迟到几百纳秒
元件参数可能不合适，现在不加地线解决了感应电烧MOS问题，参数还需调整，否则升温时间变长。
再重复一遍，不是少烙铁班上的MOS，是被焊元件、
先说烙铁的漏电：漏电由三部分组成；1 、绝缘不好，现在测热态，基本是无穷大，先不考虑，2、分布电容，基本在30P左右，50赫兹容抗，在1000M左右，这个对元件影响大，要看元件的电抗；3、对地静电积累，基本不考虑
实测普通烙铁，无地线，烙铁头可测出150V P-P 正弦电压，符合逻辑，烙铁芯有220V交流，就是600V P-P电压，电容均匀分布，就是300V，算上示波器探头的阻抗，容抗，可能就是150V P-P 的电压
对于MOS管，栅极电容在几P到几千P之间，焊珊容大的分压低于击穿电压，没事，栅容小的可能就击穿，有栅极保护的没事；LED结电容在几P到几十P，具有变容特性，这个PN结有烧毁能量的，超过即烧毁
通过实验，证明判断有点道理，供讨论
这个感应电压内阻太大，对于由于开关电路形成干扰，读数不准确。
再次声明：不是最佳电路，但证明昨天判断正确。
欢迎指正。
欢迎提出更好解决方法，
