与西数、东芝宣布的64层堆栈BiCS TLC类型闪存核心容量达到512Gb不同，三星现在的64层V-NAND闪存TLC（3 bit）类型闪存容量还是256Gb的，不过接口速率达到了1Gbps，比早前曝光的800Mbs还要高。三星官方称64层V-NAND闪存的性能比三星之前48层堆栈的256Gb TLC闪存快了50%。
三星64层256Gb TLC V-NAND具有1Gbps（千兆位/秒）的数据传输速度的特性，这是目前NAND Flash中最快的。此外，V-NAND具有行业最短的500微秒（㎲）的页面编程时间（tPROG），比传统的10纳米（nm）级的平面NAND Flash约快四倍，大约是三星48层TLC 256Gb V-NAND的1.5倍。
随着将供应领先的新V-NAND产品，三星希望行业更加注重Memory存储的高性能和可靠性，而不是执着于芯片投资生产规模的竞争。
与之前48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb V-NAND将提高30%以上的生产效率。此外，64层V-NAND是2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3V相比，能量效率提高了约30％。此外，新的V-NAND Cell的可靠性也增强了约20％。
三星先进的V-NAND制造过程应对了出现的各种挑战，实现了这些改进。其中最主要的是实现了数十亿个通道孔，穿透了几十个Cell阵列，并将电子损失降到最小。
随着单元阵列的层数增加，技术难度也随之增加，特别是使通道孔的形状均匀的从顶层到底层，并适当地分散各层重量，以提高其通道孔的稳定性。
三星克服的另一个挑战是实现基于3D CTF（charge trap flash）结构的64层单元堆叠，并用原子薄的非导电物质均匀地覆盖每个通道孔的内侧。这导致创建更小的单元，性能和可靠性得到提高。
三星电子基于15年专有的V-NAND 3D架构研究，拥有相关重要应用领域的超过500多项专利，并已在韩国、美国和日本等众多国家申请。基于其64层V-NAND的成功，三星已经通过堆叠超过90层的单元阵列，确保了未来需要的基本技术，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
