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最近看到的flash制程工艺有60nm\50nm\40nm\30nm\20nm看着工艺的提升容量的增大看来一切都是那么的美好。可是现在的新制程flash的寿命呢，从以前的SLC十万次擦写到后来的MLC一万次，TLC呢？只有一千次。而且听说随着制程的变小干扰出错率问题也严重了，ECC矫正从4BIT到现在的24BIT了，新制程的就算是SLC也没有十万次的擦写而且存储的时间也没有以前说的十年之久了。看来鱼与熊掌是真的不能兼得啊，现在市面上的U盘也开始向TLC转变了，前些天拆了4个金士顿的3个4G、1个8G结果4G的都是MLC，8G的尽然是TLC的，看来TLC朝着大容量的做啊。以后望各位买U盘还要睁大眼睛啊，朝市场趋势发展看以后的U盘都会是TLC的就像是从SLC转到MLC一样，毕竟TLC有价格优势。TLC稳定性差，说不定你存在里面的东西放一段时间就读不出来了如果是重要资料就完了 。下面是闪存演义的原文连接大家了解一下是，说不定有所帮助。http://blog.stnn.cc/byron_lee/Efp_Bl_1002361376.aspx
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