电子世界里离不开半导体器件，而MOS是基础有源半导体器件之一。MOS使用最多的是作为功率开关器件，如电源产品。由于其工作在功率主回路中，又是经常容易失效的关键器件。下面开帖简单说说MOS失效模式，希望大家一起讨论，添血加肉。
一、过电压测试电路：
过电压测试的电路图如图1(a)所示，选用40V的功率MOSFET：
MOS管AON6240，DFN5*6的封装。其中，所加的电源为60V，使用开关来控制，将60V的电压直接加到AON6240的D和S极，熔丝用来保护测试系统，功率MOSFET损坏后，将电源断开。测试样品数量：5片。
二、过电流测试电路：
过电流测试的电路图如图1(b)所示，选用40V的功率MOSFET：
MOS管AON6240，DFN5*6的封装。首先合上开关A，用20V的电源给大电容充电，电容C的容值：15mF，然后断开开关A，合上开关B，将电容C的电压加到功率MOSFET的D和S极，使用信号发生器产生一个电压幅值为4V、持续时间为1秒的单脉冲，加到功率MOSFET的G极。测试样品数量：5片。
三、过电压和过电流失效损坏情况：
通过上面过电压和过电流模拟试验后，将过电压和过电流测试损坏的功率MOSFET去除外面的塑料外壳，对露出的硅片正面失效损坏的形态的图片，分别如图2(a)和图2(b)所示。
从图中大家可以得出什么？
楼下继续。。。。
