有全球知名闪存厂商英特尔和美光组建了合资企业IMFT(Intel-Micron Flash Technologies)，其中英特尔占49%的股份，美光占51%的股份。
IMFT最初的制造工艺是72nm，2008年是50nm，去年缩小到34nm，而今年则达到了25nm，本年末英特尔将推出基于该工艺制造的X25-M G2，美光也将推出RealSSD C300。
IMFT在1月末宣布在2位单元MLC NAND闪存上采用25nm制造工艺，将于第二季度开始量产，预计年末将上市销售，另外，英特尔第三代X25-M SSD硬盘将在第四季度上市，有160GB，320GB和600GB三个容量可选，这些SSD硬盘都将采用IMFT最新的25nm闪存。
第一款25nm产品是一个8GB MLC NAND闪存，使用IMFT 25nm工艺生产的单个8GB芯片大小是167mm2，运用了浸入式光刻技术，但宽度尚不明确，这是英特尔历史上第一个采用浸入式光刻技术的产品。
34nm旗舰产品是一个4GB 2位单元MLC NAND闪存，芯片大小172mm2，而25nm工艺在相同大小的芯片上容量可以翻倍，照这样推算，价格也应该翻倍。
很明显供需经济关系会在这里发挥它们的作用，我们可能看不到咄咄逼人的定价，但我们认为25nm X25-M比34nm的G2市场需求量要高。
去年IMFT公司宣布将推出一款3位单元34nm的MLC NAND闪存，本次发布的25nm新品让之前的决定成为一句空话，但我们可能会看到3位单元25nm闪存，3位单元MLC闪存只适合廉价或低循环周期的设备，如U盘。
25nm IMFT NAND设备支持ONFi 2.2，意味着接口的速度最高可以达到200MB/s。
25nm NAND的其它主要变化是页面大小增加了，在50nm和34nm时代，IMFT的页面大小是4KB，现在在25nm 8GB设备上页面大小是8KB，块大小也从128页提高到256页，很明显这对性能有显著影响，并需要进行固件重组，鉴于英特尔已经知道这些事实，我预计它的第三代硬盘将会为25nm进行优化
IMFT公司认为有望进一步缩小闪存器件，前提是必须让晶体管变得更小，当我们的工艺达到一位数级别时，那时我们谈论的也许就是原子了。
现在IMFT保持12-15个月的发布周期，因此我们预计下一个工艺水平将在2011年年中出样，2012年上市。
如果IMFT可以提高25nm NAND闪存的产量，2012年可能是SSD硬盘成为主流的第一年。
