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FRAM铁电存储器?听说是新型的一种FLASH [复制链接]

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离线埋头苦修
 

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只看楼主 倒序阅读 我要置顶 楼主  发表于: 2008-08-04
不知各位有没有听说过?

推荐一款新型存储器——铁电技术:以下是铁电存储器与传统存储器的区别。

       一:易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。
           优点:读写速度快,读写寿命无次数限止。
           缺点:掉电会丢失数据。
          
       二:现在非易失性存储器包括EEPROM和Flash,不过它们都是在ROM技术上发展而成的。
           优点:掉电数据会保存。
           缺点:写入时间慢(一般每写入一次,需要一个5至10毫秒时间的缓冲或预冲)
                 高压写入(内部都要12V至24V的高写入电压)
                 功耗大
                 读写有次数限止(EEPROM是100万次,FLASH是10万次)

       三:铁电存储器包括了RAM和ROM的所有优点。(可以说铁电是一种掉电数据保存的RAM)
           优点:读写速度快(最高可达纳秒级的)
                 读写次数最低为100亿次(高电压工作为100亿次,低电压为无限次)
                 低功耗(不需要高压写入)
                 掉电数据不丢失(保存10年)
                 在产品上可以直接替换普通的EEPRMO或RAM。
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yzs8414 M币 +13 謝謝分享 2018-05-06
关键词: 铁电ROMRAMFRAM
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