為了不讓台灣在下世代的快閃記憶體技術中缺席,工研院和IBM合作開發Racetrack記憶體技術,雙方簽下3年的合約協議,未來Racetrack技術將對現有的2大儲存技術傳統硬碟和NAND Flash技術一箭雙雕,藉由不需要機械式移動,而是利用電子訊號在磁性材料上移動的特性來運作,等於是具有目前當紅的固態硬碟(SSD)的優點,但又擁有硬碟的低價格優勢,預計Racetrack技術在未來3年內可問世。
工研院副院長李世光博士表示,工研院和IBM合作開發Racetrack記憶體技術,具有低成本、容量大、穩定性高等特色,雙方共同投入研發資源和專利,為前瞻性的記憶體市場作新布局,就已取得早期的關鍵專利,協助台廠在下世代記憶體技術中,可提前掌握競爭優勢。
工研院電子與光電研究所的副所長徐紹中表示,Racetrack記憶體具有立即開機(Instant-on)的功能,加速電腦的使用效率,目前Racetrack技術分為水平式和垂直式2種技術,水平式Racetrack記憶體預期可取代300億美元的快閃記憶體市場,而垂直式Racetrack記憶體可取代規模250億美元的硬碟市場。
工研院電子與光電研究所奈米電子技術組組長高明哲表示,Racetrack記憶體具有NAND Flash技術中,沒有機械式裝置的優勢,但同時具有傳統硬碟的低成本特色,算是擷取2者的優點,主要原理在於不以機械式的特性來移動,而是利用電子訊號在磁性材料中移動,此原理也和SSD有些雷同,所以沒有讀寫次數的限制,可以擁有很長的使用年限。
高明哲進一步表示,過去東芝剛發明NAND Flash記憶體時,也曾來台灣找過合作機會,但當時台灣業者錯失良機,也因此工研院站在幫助台灣半導體產業發展的前提下,希望能找出下世代的新記憶體技術,提前布局記憶體的智財權領域。
一直以來,工研院對於協助台灣半導體產業掌握新的記憶體技術,付出心力相當深,像是在2002年即投入次世代記憶體MRAM的技術研究和專利深耕,台灣第一家量產的晶圓廠將是台積電,此外目前專注於MRAM開發的半導體廠還包括由早期由摩托羅拉(Motorola)分割出來的Evenspin和日本TDK分割出來的Magic公司。
此外,工研院也在2006年投入研發第2代的記憶體SpinRAM研發,2008年投入的計畫就是與IBM合作開發Racetrack記憶體技術,預計水平式Racetrack技術將提前問世,而垂直式技術也將在3年內問世。