东芝、SanDisk在日本联合运营了一家闪存生产厂，并携手开发新的闪存制造工艺。
双方今天联合宣布，已经开始了第二代19nm闪存的批量生产，并将在本月底以此投产新的2bpc/MLC
64Gb
NAND闪存颗粒。相比于第一代19nm，新工艺将闪存单元的尺寸从19×26nm缩小到19×19.5nm，节约了整整25％的内核面积，从而可以实现更大容量或者更小面积的颗粒。
东芝称，
新的MLC 64Gb闪存颗粒面积仅有区区94平方毫米，是世界上最小的。加上独有的变成算法、多级数据存储管理机制，新的闪存在性能、可靠性、成本上同样有很好的保障。再辅以独特的高速写入方法，东芝宣称其
写入速度最高可达25MB/s，同样是MLC
NAND闪存中最快的。SanDisk预计很快就会发布使用这种新颗粒的新固态硬盘。
此外，
东芝还在使用这种第二代19nm工艺研发3bpc TLC
NAND闪存，预计本季度内就会批量投产。通过新开发的eMMC兼容控制器，这种闪存将首先用于智能手机、平板机，然后再开发相应的固态硬盘控制器，延伸到笔记本中。
