Intel和micron未来的3D闪存技术发展路线产生分歧，要分家了。以前这两家的技术路线还是很清晰的，尤其MLC产品，估计IMFT TLC不是很稳定,没敢铺货。下面是IMFT 34nm和25nm 8GB TLC产品，不是很常见,一般用于闪存卡产品。
34nm
25nm
看看主流MLC产品，网上能找到的数据：
L84A 20nm 8GB MLC
Plane=2
1Plane=2048 Block
Block Size：256 Page=2MB
Page Size：8KB (8192 bytes + 744 bytes ecc)
L84C 20nm 8GB MLC
Plane=2
1Plane=524 Block（多12个陈余block,单个DIE容量实际大于8GB,出厂坏块为0的情况下实际容量约为8.19GB)
Block Size：512 Page=8MB
Page Size：16KB(16,384 bytes + 1216 bytes ecc)
L85A 20nm 16GB MLC
Plane=2
1Plane=1024 Block
Block Size：512 Page=8MB
Page Size：:16KB (16,384 bytes + 1216 bytes ecc)
L85C资料太少，暂时未找到。
下面是自己凑的一些IMFT 20/25nm DIE，和tsop 48封装的其他闪存对比。显然L85做不了普通窄封装的tsop48。图中L85A拆自金士顿V300的宽体tsop48封装；L85C拆自雷克沙U盘的BGA封装。
暂时未找到L84A DIE。
L85C DIE比L85A面积大不少，可能和L84A比L84C少很多陈余block一样，L85C可能也有很多陈余block。
转载网上其他图，34nm的是两块IMFT 4GB L63颗粒，25nm的是IMFT 8GB L74A颗粒，20nm的是IMFT 8GB L84A颗粒。
实际上IMFT L95B 16nm MLC颗粒其实和L85A很像，不过面积要小一圈，长宽比不一样，但容易混淆。下图
IMFT MLC闪存面积越做越大，所生产的MLC自L83（4GB 20nm MLC，未找到DIE图片）后就再未出小颗粒MLC闪存，也就意味着IMFT出的内存卡今后将和MLC绝缘，今后只有TLC和3D的小颗粒闪存用于TF生产。主要还是IMFT将重心放在固态硬盘上，大颗粒封装成本更划算，东芝三星倒是肉和汤一起吃，从未放弃闪存卡市场。显然粗犷的老美打成本战是打不过三星和东芝的，只能用技术（如3D X point）碾压他们了。
一己之见，如有错误之处请谅解。
